ГОСТ 18604.6-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока эмиттера

ГОСТ 18604.6-74*
(CT СЭВ 3998-83)

Группа Э29

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ

Метод измерения обратного тока эмиттера

Transistors. Method for measuring emitter reverse current

Дата введения 1976-01-01

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 14 июня 1974 г. N 1478 срок введения установлен с 01.01.76

Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 29.01.85 N 184 срок действия продлен до 01.01.91**

________________

** Ограничение срока действия снято постановлением Госстандарта СССР от 17.09.91 N 1454 (ИУС N 12, 1991 год). - .

ВЗАМЕН ГОСТ 10867-68

* ПЕРЕИЗДАНИЕ (декабрь 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в апреле 1984 г. (ИУС 8-84).

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока эмиттера (ток через переход эмиттер - база при заданном обратном напряжении на эмиттере и при разомкнутой цепи коллектора) свыше 0,01 мкА.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 3998-83 в части измерения обратного тока эмиттера (справочное приложение).

Общие условия при измерении обратного тока эмиттера должны соответствовать требованиям ГОСТ 18604.0-83.

(Измененная редакция, Изм. N 1).

1. АППАРАТУРА

1.1. Измерительные установки, в которых используются стрелочные приборы, должны обеспечивать измерение с основной погрешностью в пределах ±10% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение не менее 0,1 мкА, и в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение менее 0,1 мкА.

Для измерительных установок с цифровым отсчетом основная погрешность измерения должна быть в пределах ±5% от измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.

Для импульсного метода измерения при использовании стрелочных приборов основная погрешность измерения должна быть в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение не менее 0,1 мкА, для цифровых приборов - в пределах ±10% от измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.

1.2. Допускаются токи утечки в цепи коллектора, не приводящие к превышению основной погрешности измерения сверх значения, указанного в п.1.1.

2. ПОДГОТОВКА К ИЗМЕРЕНИЮ

2.1. Структурная электрическая схема для измерения обратного тока эмиттера должна соответствовать указанной на чертеже.

- измеритель постоянного тока, - измеритель постоянного напряжения,
- напряжение источника питания эмиттера, - испытуемый транзистор

(Измененная редакция, Изм. N 1).

2.2. Основные элементы, входящие в схему, должны соответствовать требованиям, указанным ниже.

2.2.1. Падение напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока не должно превышать 5% от показаний измерителя постоянного напряжения .

Если падение напряжения на внутреннем сопротивлении превышает 5%, то необходимо увеличить напряжение источника питания на значение, равное падению напряжения на внутреннем сопротивлении .

2.2.2. Пульсация напряжения источника постоянного тока эмиттера не должна превышать 2%.

Значение напряжения указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов и контролируют измерителем постоянного напряжения .

(Измененная редакция, Изм. N 1).

2.3. Допускается проводить измерение мощных высоковольтных транзисторов импульсным методом.

Измерение проводят по схеме, указанной в настоящем стандарте, при этом источник постоянного тока заменяют генератором импульсов.

2.3.1. Длительность импульса должна выбираться из соотношения

,

где ,

- включение последовательно с переходом транзистора суммарное сопротивление внешней цепи (в том числе внутреннее сопротивление генератора импульсов);

- емкость эмиттерного перехода испытуемого транзистора, значение которой указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. N 1).

2.3.2. Скважность импульсов должна быть не менее 10. Длительность фронта импульса генератора должна быть

.

2.3.3. Значения напряжения и тока измеряют измерителями амплитудных значений.

2.3.4. Параметры импульсов должны быть указаны в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. N 1).

2.3.5. Температура окружающей среды при измерении должна быть в пределах (25±10) °С.

(Введен дополнительно, Изм. N 1).

3. ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЯ И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

3.1. Обратный ток эмиттера измеряют следующим образом. От источника постоянного тока на эмиттер подают обратное напряжение и с помощью измерителя постоянного тока измеряют обратный ток эмиттера .

Допускается измерять обратный ток по значению падения напряжения на калиброванном резисторе , включенном в цепь измеряемого тока. При этом должно соблюдаться соотношение

.

Если падение напряжения на резисторе превышает 5%, то необходимо увеличить напряжение назначение, равное падению напряжения на резисторе .

3.2. Порядок проведения измерения импульсным методом аналогичен указанному в п.3.1.

3.3. При измерении импульсным методом должно быть исключено влияние выброса напряжения, поэтому измеряют импульсный ток через интервал времени не менее 3 с момента начала импульса.

ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное

Информационные данные о соответствии ГОСТ 18604.6-74 СТ СЭВ 3998-83

ГОСТ 18604.6-74 соответствует разд.2 СТ СЭВ 3998-83.

(Введено дополнительно, Изм. N 1).

Электронный текст документа
и сверен по:

Транзисторы биполярные.
Методы измерений: Сб. ГОСТов. -
М.: Издательство стандартов, 1986