ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры

ГОСТ 24352-80

Группа Э02

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ИЗЛУЧАТЕЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Основные параметры

Semiconductor photoemitters. Main parameters

ОКП 621000

Дата введения 1982-01-01

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 06.08.80 N 4074

2. Срок проверки 1991 г., периодичность - 5 лет.

3. ВЗАМЕН ГОСТ 17465-72* в части пп.13, 14, 15.

4. ПЕРЕИЗДАНИЕ (апрель 1988 г.) с Изменением N 1, утвержденным в январе 1988 г. (ИУС 4-88).

1. Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров.

2. Допускаемые сочетания значений основных параметров инфракрасных излучающих диодов должны соответствовать указанным в таблице.

Примечание. Для излучающих диодов, конструктивно сопряженных с компонентами волоконно-оптических систем передачи, приводят мощность излучения на выходе оптического волокна с диаметром сердцевины 200 мкм и числовой апертурой 0,27-0,3.

(Измененная редакция, Изм. N 1).

3. Угол излучения светоизлучающих диодов должен выбираться из ряда: 10; 15; 25; 40; 60; 90; 125; 180°.

4. Значение силы света при постоянном прямом токе 10 мА должно составлять не менее 0,1 мкд.

Электронный текст документа
и сверен по:

М.: Издательство стандартов, 1988