ГОСТ Р ИСО 24497-1-2009
Группа Т51
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Контроль неразрушающий
МЕТОД МАГНИТНОЙ ПАМЯТИ МЕТАЛЛА
Часть 1
Термины и определения
Non-destructive testing. Metal magnetic memory. Part 1. Terms and definitions
ОКС 77.040
ОКСТУ 0009
Дата введения 2010-12-01
Предисловие
Цели и принципы стандартизации в Российской Федерации установлены Федеральным законом от 27 декабря 2002 г. N 184-ФЗ "О техническом регулировании", а правила применения национальных стандартов Российской Федерации - ГОСТ Р 1.0-2004 "Стандартизация в Российской Федерации. Основные положения"
Сведения о стандарте
1 ПОДГОТОВЛЕН Автономной некоммерческой организацией "Научно-исследовательский центр контроля и диагностики технических систем" (АНО "НИЦ КД") на основе собственного аутентичного перевода стандарта, указанного в пункте 4
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 132 "Техническая диагностика"
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 7 декабря 2009 г. N 586-ст
4 Настоящий стандарт идентичен международному стандарту ИСО 24497-1:2007 "Контроль неразрушающий. Метод магнитной памяти металла. Часть 1. Термины и определения" (ISO 24497-1:2007 "Non-destructive testing - Metal magnetic memory - Part 1: Vocabulary", IDT)
5 ВЗАМЕН ГОСТ Р 52081-2003
Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодно издаваемом информационном указателе "Национальные стандарты", а текст изменений и поправок - в ежемесячно издаваемых информационных указателях "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ежемесячно издаваемом информационном указателе "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет
1 Область применения
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения для процедур в области неразрушающего контроля с использованием метода магнитной памяти металла.
Термины, указанные в настоящем стандарте, являются обязательными для использования во всех типах документации и литературы в области неразрушающего контроля, при применении метода магнитной памяти металла, включенного в область действия работ по стандартизации, и/или использовании результатов этих работ.
2 Термины и определения
2.1 магнитная память металла; МПМ: Последействие, которое проявляется в виде остаточной намагниченности металла изделий и сварных соединений, сформировавшейся в процессе их изготовления и охлаждения в слабом магнитном поле, или в виде необратимого изменения намагниченности изделий в зонах концентрации напряжений и повреждений от рабочих нагрузок. Примечание - Слабое магнитное поле - геомагнитное поле Земли и другие внешние поля в области Рэлея. | en Metal magnetic memory | |
2.2 собственное магнитное поле рассеяния изделия; СМПР: Магнитное поле рассеяния, возникающее на поверхности изделия в зонах устойчивых полос скольжения дислокаций под действием рабочих или остаточных напряжений или в зонах максимальной неоднородности структуры металла. Примечание - СМПР характеризует МПМ. | en Self-magnetic-leakage field of the components | |
2.3 метод магнитной памяти металла; метод МПМ: Метод неразрушающего контроля, основанный на анализе распределения СМПР на поверхности изделий для определения зон концентрации напряжений, дефектов и неоднородности структур металла и сварных соединений. | en Method of metal magnetic memory | |
2.4 магнитодислокационный гистерезис: Петля гистерезиса, обусловленная закреплением стенок магнитных доменов (стенок Блоха) на скоплениях дислокаций в слабом магнитном поле. | en Magneto-dislocation hysteresis | |
2.5 критический размер локальных зон нарушения устойчивости оболочки изделия Примечание - Критический размер оболочки на поверхности изделия характеризуется расстоянием между двумя ближайшими экстремальными значениями СМПР, кратными типоразмеру оболочки. | en Critical size of the local zones of instability of the shell of a component | |
2.6 напряженность СМПР: Числовая характеристика напряженности магнитного поля рассеяния, измеренной на поверхности изделия по методу магнитной памяти металла. | en SMLF intensity | |
2.7 градиент СМПР: Отношение модуля разности напряженности магнитного поля рассеяния, измеренной в двух точках контроля, к расстоянию между ними. | en SMLF gradient | |
2.8 магнитный показатель деформационной способности металла | en Magnetic index of the deformation capability of the metal | |
2.9 предельный магнитный показатель деформационной способности металла | en Limiting value | |
2.10 канал измерений СМПР: Напряженность СМПР, измеренная одним феррозондовым преобразователем. | en SMLF measurement channel | |
2.11 базовое расстояние между двумя каналами измерений СМПР | en Base distance between two SMLF measurement channels | |
2.12 диаграмма СМПР: Графическое изображение распределения СМПР и его градиента вдоль контролируемого участка. | en SMLF diagram | |
2.13 дискретность записи напряженности СМПР: Расстояние между двумя соседними точками измерений напряженности магнитного поля рассеяния. | en Discreteness unit of the SMLF intensity recording | |
2.14 калибровка аппаратуры, применяемой для измерений магнитной памяти металла: Настройка датчиков измерения магнитного поля рассеяния с использованием эталонной катушки и устройства, чувствительного к изменению пространственного положения, с использованием эталонного образца для измерения длины. | en Calibration of the equipment used to measure the metal magnetic memory | |
2.15 установка режима работы аппаратуры по методу МПМ: Настройка аппаратуры, описанная в руководстве по эксплуатации, в соответствии с главным меню прибора. | en Setting of equipment operational mode by the МММ method | |
2.16 помехи при измерениях по методу МПМ: Наличие факторов, искажающих СМПР объекта контроля. | en Interference noise during measurements by the МММ method | |
Примечание - Факторы, искажающие СМПР объекта контроля: - источники сильного и неоднородного магнитного поля вблизи объекта контроля; - наличие постороннего ферромагнитного изделия на объекте контроля или вблизи зоны контроля; - наличие внешнего магнитного поля и поля от электросварки на объекте контроля; - наличие локальной искусственной намагниченности металла. | ||
Алфавитный указатель терминов на русском языке
гистерезис магнитодислокационный | 2.4 |
градиент СМПР | 2.7 |
диаграмма СМПР | 2.12 |
дискретность записи напряженности СМПР | 2.13 |
калибровка аппаратуры, применяемой для измерений магнитной памяти металла | 2.14 |
канал измерений СМПР | 2.10 |
метод магнитной памяти металла | 2.3 |
метод МПМ | 2.3 |
МПМ | 2.3 |
напряженность СМПР | 2.6 |
память металла магнитная | 2.1 |
показатель деформационной способности металла магнитный | 2.8 |
показатель деформационной способности металла магнитный предельный | 2.9 |
поле рассеяния изделия магнитное собственное | 2.2 |
помехи при измерениях по методу МПМ | 2.16 |
размер локальных зон нарушения устойчивости оболочки изделия критический | 2.5 |
расстояние между двумя каналами измерений СМПР базовое | 2.11 |
СМПР | 2.2 |
установка режима работы аппаратуры по методу МПМ | 2.15 |
Алфавитный указатель эквивалентов терминов на английском языке
base distance between the two SMLF measurement channels | 2.11 |
calibration of the equipment used to measure the metal magnetic memory | 2.14 |
critical size of the local zones of instability of the shell of a component | 2.5 |
discreteness unit of the SMLF intensity recording | 2.13 |
interference noise during measurements by the МММ method | 2.16 |
limiting value of the magnetic index of the metal deformation capability | 2.9 |
magnetic index of the deformation capability of the metal | 2.8 |
magneto-dislocation hysteresis | 2.4 |
metal magnetic memory | 2.1 |
method of metal magnetic memory | 2.3 |
self-magnetic-leakage field of the components | 2.2 |
setting of equipment operational mode by the МММ method | 2.15 |
SMLF diagram | 2.12 |
SMLF gradient | 2.7 |
SMLF intensity | 2.6 |
SMLF measurement channel | 2.10 |
Электронный текст документа
и сверен по:
, 2010
