ГОСТ Р ИСО 14644-10-2014
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ЧИСТЫЕ ПОМЕЩЕНИЯ И СВЯЗАННЫЕ С НИМИ КОНТРОЛИРУЕМЫЕ СРЕДЫ
Часть 10
Классификация чистоты поверхностей по концентрации химических загрязнений
Cleanrooms and associated controlled environments. Part 10. Classification of surface cleanliness by chemical concentration
ОКС 13.040.01
19.020
Дата введения 2015-12-01
Предисловие
1 ПОДГОТОВЛЕН Общероссийской общественной организацией "Ассоциация инженеров по контролю микрозагрязнений" (АСИНКОМ) на основе собственного перевода на русский язык англоязычной версии стандарта, указанного в пункте 4
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 184 "Обеспечение промышленной чистоты"
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 24 октября 2014 г. N 1407-ст
4 Настоящий стандарт идентичен международному стандарту ИСО 14644-10:2013* "Чистые помещения и связанные с ними контролируемые среды. Часть 10. Классификация чистоты поверхностей по концентрации химических загрязнений" (ISO 14644-10:2013 "Cleanrooms and associated controlled environments - Part 10: Classification of surface cleanliness by chemical concentration", IDT).
________________
* Доступ к международным и зарубежным документам, упомянутым в тексте, можно получить, обратившись в Службу поддержки пользователей. - .
При применении настоящего стандарта рекомендуется использовать вместо ссылочных международных стандартов соответствующие им национальные стандарты, сведения о которых приведены в дополнительном приложении ДА
5 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
6 ПЕРЕИЗДАНИЕ. Октябрь 2019 г.
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)
Введение
Чистые помещения и связанные с ними контролируемые среды обеспечивают контроль загрязнения поверхностей химическими веществами с целью поддержания допустимого уровня загрязнений в чувствительных к ним процессах. Продукты и процессы, требующие защиты от загрязнений, применяются в электронной, фармацевтической, медицинской, пищевой и других отраслях промышленности.
Международный стандарт ИСО 14644-10 подготовлен Техническим комитетом ИСО/ТК 209 "Чистые помещения и связанные с ними контролируемые среды".
Комплекс международных стандартов ИСО 14644 состоит из следующих частей:
- часть 1. Классификация чистоты воздуха;
- часть 2. Требования к контролю и мониторингу для подтверждения постоянного соответствия ИСО 14644-1;
- часть 3. Методы испытаний;
- часть 4. Проектирование, строительство и ввод в эксплуатацию;
- часть 5. Эксплуатация;
- часть 6. Термины;
- часть 7. Изолирующие устройства (укрытия с чистым воздухом, боксы перчаточные, изоляторы и мини-окружения);
- часть 8. Классификация химических загрязнений в воздухе;
- часть 9. Классификация чистоты поверхностей по концентрации частиц;
- часть 10. Классификация чистоты поверхностей по концентрации химических загрязнений.
1 Область применения
Настоящий стандарт устанавливает систему классификации чистоты поверхностей в чистых помещениях по химическим соединениям или элементам, включая молекулы, ионы, атомы и частицы, и может применяться для всех твердых поверхностей в чистых помещениях и связанных с ними контролируемых средах, например для стен, потолков, рабочих поверхностей, инструментов и приборов.
Примечания
1 Стандарт рассматривает только химические свойства частиц без учета их физических свойств. Стандарт не рассматривает взаимодействие между загрязнениями и поверхностью.
2 Стандарт не рассматривает загрязнения, появляющиеся в ходе технологического процесса, с течением времени (оседание, старение и пр.), или связанные с деятельностью при проведении процесса (транспортирование, обращение), а также не касается статистических методов контроля качества с целью оценки соответствия.
2 Нормативные ссылки
В настоящем стандарте использованы нормативные ссылки на следующие стандарты. При датированных ссылках применяют только указанную версию стандарта. При недатированных ссылках необходимо использовать последнее издание документа (включая любые поправки).
ISO 14644-1, Cleanrooms and associated controlled environments - Part 1: Classification of air cleanliness by particle concentration (Чистые помещения и связанные с ними контролируемые среды. Часть 1. Классификация чистоты воздуха по классификации частиц)
ISO 14644-6
_______________
3 Термины и определения
В настоящем стандарте применены термины и определения по ИСО 14644-6, а также следующие термины с соответствующими определениями:
3.1 чистота воздуха по концентрации химических загрязнений; АСС (air cleanliness by chemical concentration; АСС): Уровень, выраженный как ИСО класс N, равный максимально допустимой концентрации данного химического загрязнения или группы загрязнений, выраженной в граммах на кубический метр (г/м
Примечание - Это определение не включает макромолекулы биологического происхождения, рассматриваемые как частицы.
3.2 категория загрязнений (contaminant category): Общее наименование группы загрязнений со специфическим негативным воздействием на поверхность при оседании на нее.
3.3 химическое загрязнение (chemical contaminant): Вещество (не частицы), которое может оказать отрицательное влияние на продукт, процесс или оборудование.
3.4 твердая поверхность (solid surface): Граница между твердой и иной фазой.
3.5 поверхность (surface): Граница между двумя фазами.
Примечание - Как правило, одна из фаз является твердой, а другая - газом, жидкостью или другой твердой поверхностью.
3.6 чистота поверхности по концентрации химических загрязнений; SCC (surface cleanliness by chemical concentration, SCC): Состояние поверхности, характеризуемое концентрацией химических загрязнений на ней.
3.7 класс чистоты поверхности по концентрации химических загрязнений
4 Классификация
4.1 Принципы установления класса чистоты поверхности в чистых помещениях и контролируемых средах
Класс обозначается классификационным числом "ИСО-SCC" и задает максимально допустимую концентрацию данного химического загрязнения или группы загрязнений. Классификация учитывает концентрацию химических загрязнений на поверхности в г/м
4.2 Классификация чистоты поверхностей по концентрации химических загрязнений
Класс чистоты поверхности по концентрации химических загрязнений обозначается классификационным числом
(1)
т.е.
Фактическая концентрация химических загрязнений (одним или несколькими веществами) не должна превышать максимально допустимое значение
Примечания
1 Классификационное число должно сопровождаться описанием согласно 4.3.
2 Порядок пересчета массовой концентрации (г/м
Классы чистоты поверхностей по концентрации химических загрязнений и соответствующие им концентрации указаны в таблице 1 и на рисунке 1. Следует учитывать также показатели, перечисленные в приложении В, которые могут оказать влияние на классификацию.
Таблица 1 - Классы чистоты поверхностей по концентрации химических загрязнений (классы ИСО-SCC)
Класс ИСО-SCC | Концентрация, г/м | Концентрация, нг/м | Концентрация, г/см |
0 | 10 | 10 | 10 |
-1 | 10 | 10 | 10 |
-2 | 10 | 10 | 10 |
-3 | 10 | 10 | 10 |
-4 | 10 | 10 | 10 |
-5 | 10 | 10 | 10 |
-6 | 10 | 10 | 10 |
-7 | 10 | 10 | 10 |
-8 | 10 | 10 | 10 |
-9 | 10 | 10 | 10 |
-10 | 10 | 10 | 10 |
-11 | 10 | 10 | 10 |
-12 | 10 | 10 | 10 |
Рисунок 1 - Классы ИСО-SCC как функция концентрации загрязнений
4.3 Обозначение класса ИСО-SCC
Численное обозначение класса ИСО-SCC должно сопровождаться указанием на химический состав загрязнения (группы загрязнений), т.е. класс чистоты обозначается записью, имеющей вид
ИСО-SCC класс N (X),
где
Примеры
1 Концентрация загрязнения поверхности N-метил-2-пирролидоном (NMP) по результатам анализа пробы составляет 9,8·10
2 Концентрация загрязнения поверхности органическими веществами (ТОС) составляет 6·10
4.4 Перевод массовой концентрации в численную концентрацию атомов
Очень низкие концентрации загрязнений поверхностей оцениваются, как правило, числом молекул, атомов или ионов на единице площади (1/м
где
На рисунке А.4 приложения А показано соотношение между массовой концентрацией химических загрязнений на поверхности (г/м
5 Контроль чистоты поверхности по концентрации химических загрязнений и проверка соответствия
5.1 Критерии оценки частоты
На рисунке D.2 приложения D показаны методы оценки наличия различных загрязнений с указанием методов отбора и анализа проб.
Контроль, выполняемый для оценки соответствия, должен производиться в классифицированной среде, в которой концентрация аэрозольных частиц и химических загрязнений не оказывает влияние на результаты контроля. Контроль выполняется в соответствии с 5.2.2. Требования к окружающей среде, методам контроля и приборам должны быть согласованы между заказчиком и исполнителем.
В приложении С рассмотрены дополнительные виды контроля, в приложении D - методы контроля для оценки соответствия.
Перечень методов контроля не является исчерпывающим, по согласованию между заказчиком и исполнителем могут применяться другие методы, если их точность сопоставима с типовыми методами.
Результаты контроля различными методами даже при их правильном применении могут отличаться, но быть достоверными. Рекомендуется выполнять повторные проверки, рассматривая их как элемент статистического анализа.
При оценке высоких уровней чистоты могут наблюдаться резко выделяющиеся необычно высокие концентрации загрязнений. В этих случаях следует применять специальные методы контроля, указанные на рисунке D.4 приложения D.
Следует принять меры по снижению электростатического заряда в зонах контроля, поскольку он усиливает оседание загрязнений на поверхность. Статический заряд может накапливаться на поверхностях, не являющихся токопроводящими, заземленными, или на которых заряд нейтрализован. Из-за этого результаты контроля могут различаться.
В приложении D рассмотрены типичные методы контроля чистоты поверхностей по концентрации химических загрязнений.
5.2 Протоколы контроля
5.2.1 Общие положения
Соответствие чистоты поверхностей по концентрации химических загрязнений заданному заказчиком классу чистоты проверяется путем контроля чистоты и оформления документации (протоколов) с указанием условий проведения контроля. Детали проведения контроля должны быть согласованы между заказчиком и исполнителем заранее.
5.2.2 Проведение контроля
Контроль следует выполнять по методикам контроля с использованием калиброванных приборов (по возможности).
Методы контроля для проверки соответствия рассмотрены в приложении D. Перечень типовых методов не является исчерпывающим. Требования к окружающей среде должны быть согласованы между заказчиком и исполнителем. Могут применяться другие методы, имеющие сравнимую точность (по согласованию между заказчиком и исполнителем).
Результаты контроля различными методами даже при их правильном применении могут различаться, причем достоверность этих результатов одинакова. Рекомендуется выполнять повторные проверки.
Требования к окружающей среде при проведении контроля должны быть согласованы между заказчиком и исполнителем.
5.2.3 Протокол контроля
Результаты контроля чистоты каждой поверхности должны быть оформлены документально в виде протокола (отчета) с заключением о соответствии/несоответствии заданному классу чистоты. Протокол должен включать как минимум следующее:
a) наименование и адрес организации, проводящей контроль;
b) фамилию и инициалы лица, проводящего контроль;
c) параметры окружающей среды;
d) дату, время и продолжительность отбора проб;
e) время проведения контроля;
f) ссылку на данный стандарт;
g) указание на расположение контролируемой поверхности и место отбора проб (при необходимости);
h) класс чистоты поверхности по концентрации химических загрязнений (SCC класс N);
i) предельно допустимый уровень загрязнений по согласованию между заказчиком и исполнителем;
j) согласованные методы контроля, чувствительность приборов (пределы обнаружения);
k) методику контроля с указанием отклонений от нее (если они имели место);
I) данные о приборах и действующих сертификатах калибровки;
m) число проведенных проверок;
n) результаты контроля, включая концентрации химических загрязнений для всех проверок;
о) состояние поверхности (после окончательной очистки, до или после упаковки с указанием типа и качества упаковки).
Пример оформления протокола приведен в приложении Е. Могут использоваться другие формы протокола по согласованию между заказчиком и исполнителем.
Приложение А
(справочное)
Соотношение между различными единицами концентрации химических загрязнений на поверхности
А.1 Общие положения
В дополнение к массовой концентрации загрязнений на поверхности (г/м
А.2 Примеры
В таблицах А.1-А.3 приведены примеры перевода численной концентрации (молекул/м
Таблица А.1 - Пример соотношения между массовой концентрацией (г/м
Контролируемый параметр | Обозначение | Ед. измерения | ||||
Пример 1 | Пример 2 | Пример 3 | Пример 4 | |||
Численная концентрация молекул на поверхности | молекул/м | 1,00·10 | 1,42·10 | 7,16·10 | 6,01·10 | |
Численная концентрация атомов углерода на поверхности | атомов С/м | 7,00·10 | 1,00·10 | 5,00·10 | 4,19·10 | |
Массовая концентрация углерода на поверхности | г С/м | 1,39·10 | 1,98·10 | 1,00·10 | 8,39·10 | |
Массовая концентрация | г/м | 1,66·10 | 2,36·10 | 1,19·10 | 1,00·10 |
Таблица А.2 - Пример соотношения между массовой концентрацией (г/м
Контролируемый параметр | Обозначение | Ед. измерения | ||||
Пример 1 | Пример 2 | Пример 3 | Пример 4 | |||
Численная концентрация молекул на поверхности | молекул/м | 1,00·10 | 6,20·10 | 3,12·10 | 2,60·10 | |
Численная концентрация атомов углерода на поверхности | атомов С/м | 1,59·10 | 1,00·10 | 5,00·10 | 4,20·10 | |
Массовая концентрация углерода на поверхности | г С/м | 3,19·10 | 2,00·10 | 1,00·10 | 8,49·10 | |
Массовая концентрация | г/м | 3,77·10 | 2,35·10 | 1,17·10 | 1,00·10 |
Таблица А.3 - Пример соотношения между массовой концентрацией (г/м
Контролируемый параметр | Обозначение | Ед. измерения | ||||
Пример 1 | Пример 2 | Пример 3 | Пример 4 | |||
Численная концентрация молекул на поверхности | молекул/м | 1,00·10 | 4,20·10 | 2,00·10 | 1,50·10 | |
Численная концентрация атомов углерода на поверхности | атомов С/м | 2,39·10 | 1,00·10 | 4,89·10 | 3,60·10 | |
Массовая концентрация углерода на поверхности | г С/м | 4,89·10 | 2,04·10 | 1,00·10 | 7,37·10 | |
Массовая концентрация | г/м | 6,62·10 | 2,76·10 | 1,35·10 | 1,00·10 |
Численная концентрация может быть переведена в массовую концентрацию по формулам А.1-А.3:
где
Значения численной концентрации органических загрязнений на поверхности для различных единиц (пленка Ленгмюра-Блоджетт) приведены в таблице А.4. Значения рассчитаны по формуле
где
Таблица А.4 - Концентрация в монослое для пленки Ленгмюра-Блоджетт
Контролируемый параметр | Гептан | Гексадекан | Диэтилгексилфталат |
Численная концентрация молекул на поверхности | 2,55·10 | 1,62·10 | 1,34·10 |
Численная концентрация атомов углерода на поверхности | 1,79·10 | 2,59·10 | 3,21·10 |
Массовая концентрация углерода на поверхности | 3,56·10 | 5,18·10 | 6,56·10 |
Массовая концентрация | 4,24·10 | 6,10·10 | 8,88·10 |
На рисунках А.1-А.4 в качестве иллюстрации приведены соотношения между численной концентрацией загрязнений (молекул/м
Рисунок А.1 - Соотношение между массовой концентрацией (г/м
Рисунок А.2 - Соотношение между массовой концентрацией загрязнения (г/м
Рисунок А.3 - Соотношение между массовой концентрацией загрязнения (г/м
1 - Li (
Рисунок А.4 - Соотношение между массовой концентрацией загрязнения (г/м
Приложение В
(справочное)
Факторы, влияющие на проведение контроля и его результаты
B.1 Факторы
К факторам, влияющим на проведение контроля и его результаты, относятся:
a) квалификация персонала, отбирающего пробы и проводящего анализ;
b) надежность, повторяемость и уровень возможностей контрольной лаборатории;
c) уровень чистоты емкостей для отбора проб, инструментов и оборудования;
d) уровень чистоты материалов упаковки для транспортирования образцов;
e) методики отбора проб, оценки "нулевого фона" и ошибок при отборе и анализе проб (см. рисунок D.3 приложения D);
f) несанкционированное вскрытие проб;
g) вскрытие пробы за пределами контролируемой среды;
h) качество реактивов или воды, используемых для отбора химического загрязнения с контрольной поверхности;
i) потеря анализируемого вещества (загрязнения) при отборе проб, транспортировании или проведении анализа;
j) потеря или изменение свойств анализируемого вещества (загрязнения) вследствие десорбции или термического распада при нагреве во время проведения анализа;
k) отсутствие требуемой периодической калибровки приборов или непроведение расследования причин появления необычных результатов (выбросов);
I) ошибки при калибровке или вычислениях, проводимых для пробы.
B.2 Дополнительные сведения
Перечень факторов в В.1 не является исчерпывающим.
Приложение С
(справочное)
Существенные условия для правильной оценки чистоты
С.1 Общие положения
Необходимо задать, согласовать и соблюдать следующие условия и факторы (до начала проведения контроля):
a) способность поверхности к увлажнению, т.е. является ли поверхность гидрофильной или гидрофобной;
b) вещество или группу веществ, используемых в качестве контрольного материала;
c) вещество или группу веществ, используемых в процессе исследования;
d) вещество или группу веществ, используемых при техническом обслуживании;
e) вещество или группу веществ, обнаруженных в наружном воздухе и в воздухе помещения;
f) наличие общих химических/молекулярных или специфических для продукта факторов;
g) вещество или группу веществ, которые предполагается контролировать;
h) характер, объем и скорость воздуха при отборе проб;
i) обнаружение запахов при отборе проб (следует принять меры предосторожности от вдыхания);
j) температуру, относительную влажность и давление при отборе проб;
k) визуализационный тест или контроль концентрации частиц в воздухе до контроля чистоты поверхности;
I) контроль наночастиц до контроля чистоты поверхности;
m) используемые моющие (чистящие) вещества или процесс очистки;
n) ожидаемые результаты контроля;
о) типы контрольно-измерительных приборов;
р) свойства пробы, представляющие интерес;
q) загрязнение от окружающей среды;
r) загрязнения, образующиеся в ходе контроля или от приборов;
s) ограничение на электростатический заряд или перенос заряда в зоне контроля;
t) результаты контроля в виде класса чистоты;
u) контроль качества при отборе и анализе проб.
С.2 Дополнительные указания
Подробное описание методов контроля приведено в приложении D.
Приложение D
(справочное)
Методы определения чистоты поверхности по концентрации химических загрязнений
D.1 Выбор метода
D.1.1 Общие положения
Для получения количественной оценки чистоты поверхности следует выбрать соответствующий метод. В некоторых случаях, когда отсутствует возможность дать количественную оценку, можно ограничиться качественным анализом. Результаты качественного анализа не могут служить основанием для классификации чистоты поверхностей по концентрации химических загрязнений согласно разделу 5.
D.1.2 Схема выбора метода контроля
На рисунке D.1 дана схема выбора метода контроля чистоты поверхностей по концентрации химических загрязнений.
Рисунок D.1 - Схема выбора метода контроля чистоты поверхности по концентрации химических загрязнений
D.1.3 Области применения основных методов контроля
На рисунке D.2 показаны области применения методов контроля различных видов загрязнений.
Рисунок D.2 - Общая схема выбора методов контроля
D.2 Критерии оценки чистоты поверхности по концентрации химических загрязнений
D.2.1 Общие положения
Для классификации чистоты поверхности следует выполнить оценку химического загрязнения поверхности.
Для выполнения оценки (количественной или качественной) и классификации чистоты поверхности следует определить число и типы химических загрязнений, подлежащих определению.
D.2.2 Требования к методам контроля
При выборе метода контроля следует учесть свойства поверхности и предъявляемые к ней требования. К наиболее важным условиям относятся:
a) химические свойства поверхности и ее устойчивость (например, материал);
b) методы контроля прямые [с применением устройств, работающих в реальном масштабе времени (например, датчик на поверхностных акустических волнах)];
c) методы контроля косвенные (с применением аналитического оборудования, например, подложек или дисков для сканирующей электронной микроскопии);
d) скорость контроля и требуемые методы (например, применение метода случайного отбора проб или контроля серии);
e) гибкость (например, возможность быстрого применения метода на различных поверхностях);
f) незначительное изменение поверхности или отсутствие изменений при проведении контроля (например, отсутствие изменения поверхности при ее увлажнении омывающими жидкостями).
Исходя из этих условий можно выполнить классификацию методов контроля согласно D.2.3 с указанием областей их применения.
D.2.3 Прямые и косвенные методы контроля
D.2.3.1 Общие положения
Для лучшей оценки чистоты поверхности следует правильно выбрать метод контроля. Методы могут быть:
a) прямыми;
b) косвенными.
Прямые методы не требуют обработки образцов и, как правило, являются предпочтительными. Обычно прямые методы менее трудоемки, характеризуются меньшими ошибками и дают результаты с более высокой воспроизводимостью, чем косвенные методы. Однако для материалов сложного состава и с высокими требованиями к отбору проб единственной возможностью может оказаться применение косвенных методов.
D.2.3.2 Методы отбора проб
Химические загрязнения могут быть разделены на три группы:
1) продукт целиком, когда весь загрязненный образец направляется для проведения анализа;
2) проба (образец), отобранная методом осаждения загрязнений, например прямой экспозицией или осаждением на седиментационный (индикаторный) диск или пластину;
3) проба (образец), отобранная методом экстракции с материалов, рабочих поверхностей или оборудования с использованием физических средств (например, мазков, скальпелей, липких лент с известным уровнем загрязнений или экстракцией растворителем).
D.2.3.3 Порядок отбора проб
При анализе продукта целиком (см. рисунок D.3) могут использоваться влажные и сухие методы.
Такой же порядок может применяться при анализе осажденных загрязнений, когда загрязнение смывают с образца водным раствором ПАВ или растворяют в органическом растворителе. Полученный раствор помещают в контрольный прибор для проведения косвенного анализа. При "сухом" методе материал разделяют на части и помещают непосредственно в прибор.
При работе по третьему методу (проба, отобранная методом экстракции) загрязнение переносится на липкую ленту или подложку для сканирующего электронного микроскопа, которые помещаются в контрольный прибор. Для этой цели используются липкие ленты с малой адгезией, которыми обрабатывают поверхность, затем эти ленты помещаются в чистое герметичное транспортное устройство для передачи в лабораторию. Для отбора пробы должны использоваться перчатки для чистых помещений с низким выделением волокон. В зависимости от метода экстракции и вида загрязнений анализ может проводиться путем непосредственного помещения в прибор отобранной физическим путем пробы либо химической или термической обработкой пробы.
D.2.4 Упаковка контрольных образцов (проб)
D.2.4.1 Упаковка образцов для химического анализа
Образцы, которые подлежат анализу за пределами зоны, в которой они отобраны, должны быть упакованы с выполнением следующих условий:
a) должна быть проведена подготовка в месте взятия образца (отбора пробы). Оператор должен быть одет в требуемую одежду для чистых помещений;
b) при обращении с образцами оператор должен использовать новую пару чистых нитриловых или латексных перчаток для чистых помещений и использовать пинцеты или вакуумные манипуляторы;
c) если предусмотрено проведение очистки (отмывки), то следует дать возможность образцам остыть и высохнуть перед упаковкой в чистую алюминиевую фольгу;
d) каждый образец отдельно должен быть упакован в фольгу до помещения в контейнер для чистых помещений;
e) следует использовать полиэтиленовые контейнеры, изготовленные в чистом помещении, имеющие сертификат с подробными данными о химическом составе контейнера. Для предотвращения разрывов контейнера толщина его стенок должна быть не менее 80 мкм;
f) контейнер должен быть герметизирован предназначенной для этого липкой лентой с нанесением этикетки на его наружную сторону и надписи, запрещающей открывать контейнер за пределами контролируемой зоны;
g) для предотвращения загрязнения образца частицами следует использовать вторичную упаковку для чистых помещений.
D.2.4.2 Изъятие образца из упаковки
Изъятие образца из упаковки должно производиться при следующих условиях:
a) наружная упаковка (контейнер) должна быть удалена непосредственно перед передачей в зону контроля;
b) не допускается снятие первичной (внутренней) упаковки до поступления образца в зону контроля;
c) при обращении с первичной упаковкой следует использовать полный комплект одежды для чистых помещений, включая капюшон и маску для лица;
d) при работе с образцами следует использовать новую пару чистых нитриловых или латексных перчаток.
D.2.5 Подготовка к проведению анализов
Если методы прямого анализа непригодны, то следует подготовить образец к проведению анализа, используя дополнительную обработку поверхности (см. также рисунок D.3).
Примерами такой обработки являются:
a) полевая ионная (FIB) микроскопия - обработка пучком ионов для образования поперечного разреза в образце в форме острой иглы, который затем анализируется с помощью микроскопа с высокой разрешающей способностью, например сканирующего электронного микроскопа (SEM), трансмиссионного электронного микроскопа (ТЕМ) или сканирующего трансмиссионного электронного микроскопа (STEM);
b) спектроскопия с термической десорбцией (TD) - загрязнения испаряются под действием тепла, затем проводится анализ полученной газовой фазы. Могут применяться следующие методы;
- хромато-масс-спектрометрия термической десорбцией (TD-GC/MS) для неорганических и металлических поверхностей, когда окончательный анализ выполняется с помощью газовой хроматографии и масс-спектрометрии,
- термическая десорбционная спектроскопия (TDS) для работы с
- масс-спектроскопия с использованием термической десорбции и измерением интенсивности ионов с помощью квадрупольного масс-спектрометра (TD-QMS),
- масс-спектроскопия с использованием ионизирующего масс-спектрометра с термической десорбцией (TD-API-MS),
- термическая десорбция с пластин (WTD) для полупроводниковых пластин;
c) экстракция растворителями (SE) - для растворения загрязнения на поверхности применяют соответствующий растворитель, образующийся контрольный раствор исследуют одним из следующих методов "влажного" микроанализа:
- растворение с применением растворителя (SD), когда загрязнение и загрязненный материал (поверхность) растворяются на глубину в несколько нанометров см. D.2.8,
- разложение парами (VPD), когда загрязнение растворяется при обработке парами плавиковой кислоты, затем полученная паровая фаза анализируется см. D.2.8.
D.2.6 Сравнительные методы контроля
Характеристика методов контроля дана в приведенных ниже таблицах, которые не являются исчерпывающими и могут служить лишь в качестве справочного материала. В таблице D.1 приведены прямые методы, в таблице D.2 - косвенные, которые могут требовать предварительной подготовки.
D.2.7 Прямые методы контроля
Основой прямых методов являются комплексные методы
Таблица D.1 - Прямые методы измерений и области их применения
Метод | Сокра- | Принцип работы | Полученная информация | Чувст- | Разрешающая способность в поперечном сечении, глубине | Вид количест- | Типовые области применения | |
Электронная Оже-спектроскопия | AES (ЭОС) | Метод электронной спектроскопии с измерением распределения энергии оже- | Состав структуры | 0,1% | 20 нм | Полуколи- | Характеристика загрязнений поверхности, многослойная структура | |
Рентгеновская фото- | XPS (или ESCA) (РФЭС) | Метод электронной спектроскопии с измерением распределения энергии фотоэлектронов и оже- | Количест- | 0,1% | Полуколи- | Анализ органических и неорганических материалов или остатков на поверхности; тонко- | ||
Масс-спектрометрия вторичных ионов | SIMS (МСВИ) | Масс-спектрометрия используется для измерения соотношения масса/заряд и выделяющихся вторичных ионов с поверхности после бомбарди- | Элемен- | ppm - | 2 нм | 30 нм | Количест- | Следы загрязнений на поверхностях, тонкие пленки, многослойные структуры с границами раздела; оценка структуры и загрязненности тонких пленок |
Времяпролетная масс-спектро- | TOF- | Аналогичен SIMS | Элемен- | ppm - | Полуколи- | Микроанализ органических и неорганических материалов; массовый спектр непосредст- | ||
Сканирующая (растровая) электронная микроскопия | SEM (РЭМ) | Высоко- | Структура и морфо- | - | Характеристика топографии микроструктуры поверхности, размеров зерен, оксидов (оксидной пленки) и загрязнений | |||
Энергодисперсионная рентгеновская спектроскопия | SEM | Аналитическая методика, которая использует охлаждаемый детектор для обнаружения и измерения эмиссионных рентгеновских импульсов при электронном возбуждении (SEM) | Элемен- | 0,1% | Да | Элементарный микроанализ | ||
Рентгенофлуоресцентная спектроскопия с полным внешним отражением | TXRF | Рентгеновский спектрометр, измеряющий распределение энергии флуоресценции. Эмиссионное рентгеновское излучение от облученной первичным рентгеновским облучением поверхности при условии полного внешнего отражения | Количест- | 10 ppb | 1 нм | 1 мм | Количест- | Количест- |
Инфракрасная Фурье-спектроскопия (ИК-Фурье спектрос- | FTIR | Измерение для ИК-спектров поглощения, когда спектрометр применяется для определения энергии ИК-излучения | Анализ химических связей и молеку- | 10 | 0,1-2,5 мкм | 10-100 мкм | Количест- | Определение молекулярной структуры органических соединений, пленок, частиц, порошков, жидкостей; определение содержания |
ИК-Фурье спектроскопия многократного внутреннего отражения | MIR- | Опционально модифици- | То же | Менее 10 | То же | |||
Кварцевые микровесы | QCM | Прибор, в котором при конденсации газов на пьезоэлект- | Измерение молеку- | нг/см | - | - | Частота вибрации сравнивается с материалами известной концентрации | Тонкая пленка осевших на поверхности кварцевого сенсора газообразных загрязнений |
Датчик на поверхностных акустических волнах | SAW | Прибор, в котором при конденсации газов на пьезоэлект- | Измерение молеку- | 0,01 нг/см | - | - | Акустическая волна сравнивается с волной материала известной концентрации | Тонкая пленка осевших на поверхности датчика газообразных загрязнений |
Атомно-силовой микроскоп | AFM | Форма и размер молекул | - | Визуальное изображение | ||||
Дисперсионная рентгеновская спектроскопия по длине волны | SEM- | Измерение длины волны рентгеновского излучения элемента с порядковым номером лития; измерение длины волны рентгеновского излучения элементов с порядковым номером больше лития при воздействии на образец пучка электронов (SEM- | Распре- | - | Визуальное изображение | |||
Примечание - Разрешение и чувствительность - два независимых параметра. Разрешение зависит от концентрации загрязнения на образце. На чувствительность может влиять площадь отбора пробы. |
Таблица D.2 - Косвенные методы измерений и области их применения
Метод | Сокра- | Принцип работы | Полученная инфор- | Типовая чувстви- | Типовые области применения количественного анализа | |
Хромато-масс- | TD-GC/MS | Загрязнения с поверхности материала термически десорбируются и концентрируются в специальной абсорбционной колонке. Затем данные концентраты поступают на газовый хроматограф/масс- | Количест- | 10 нг/м | Количественный для стандартных материалов | Анализ следовых количеств органических смесей; оценка загрязнений на кремниевых пластинах (термическая десорбция с пластины с последующей хромато-масс- |
Ионная хромато- | SD-IC/MS | Загрязнения с поверхности материала растворяют в соответствующем растворителе, при необходимости раствор концентрируют. Определенное количество раствора вводят в ионный хроматограф/масс-спектрометр | Количест- | 10 нг/м | Количественный для стандартных материалов | Анализ следовых количеств ионных загрязнений; оценка количества растворимых ионных компонентов порошков, инкапсулирование соединений после подготовки пробы с помощью перегонки |
Спектро- | TD-IMS | Загрязнения с поверхности материала подвергают термической десорбции и вводят в спектрометр подвижности ионов. Загрязнения разбиваются лучами на ионизированные фрагменты, которые разделяются в соответствии с их ионной подвижностью. Затем ионы обнаруживаются с помощью квадрупольного масс-анализатора | - | ppb в газовой фазе 1 мкм/м | Количественный для стандартных материалов | Аммиак и органические загрязнения на поверхности материала |
Капиллярный электрофорез с последующей масс- | SD-CE/MS | Загрязнения растворяют в соответствующем растворителе и исследуют методом капиллярного электрофореза (СЕ). Загрязнения разделяются в соответствии с их электрическими свойствами и определяются с помощью масс-спектрометра. | - | 200 нг/м | - | - |
Высоко- | SD-HPLC | Загрязнения растворяют в соответствующем растворителе и исследуют методом высоко- | - | 2000 нг/м | Количественный для стандартных материалов | Определение экстрагируемых органических компонентов |
Газовая хромато-масс- | SD-GC/MS | Загрязнения с поверхности материала растворяют в соответствующем растворителе. Часть раствора исследуют с помощью газового хромато-масс- | - | от 500 нг/м | - | - |
Масс- | VPD-ICP/MS (ИПС-МС) | Пары фтороводородной (плавиковой) кислоты конденсируются на поверхности для растворения оксида кремния | Количест- | 10 | Анализ ультраследовых количеств металлических загрязнений на кремниевых пластинах |
D.2.9 Отбор образцов (проб), анализ и контроль качества
Рисунок D.3 - Схема отбора образцов (проб), анализа и контроля качества
D.2.10 Аналитический контроль качества
Рисунок D.4 - Схема контроля качества кремниевой пластины с применением хромато-масс-спектрометрии с термической десорбцией (TD-GC/MS)
Как правило, образцы с известной концентрацией загрязняющего вещества используются на критических этапах отбора проб и анализа для контроля работоспособности метода или количественной оценки отклонений на стадиях подготовки и анализа. Аналитический метод позволяет определить уровни концентрации в образцах с известной концентрацией, используемых на каждом этапе. В приведенном примере для кремниевой пластины интенсивность и хроматограмма полного ионного тока (TIC) образца с известной концентрацией загрязняющего вещества, применяемого для подготовки установки термической десорбции, должна быть такой же, как и в калибровочном стандарте, для того же добавленного количества в пределах требуемого диапазона надежности. Например, образец 100 нг загрязнений, вводимый в установку термической десорбции, эквивалентен калибровочному стандарту 100 нг по интенсивности и хроматограмме полного ионного тока [14].
Приложение Е
(справочное)
Протокол контроля чистоты
В таблице Е.1 приведен пример протокола контроля. Возможны другие варианты по согласованию заказчика с поставщиком.
Таблица Е.1 - Пример протокола контроля чистоты поверхности по концентрации химических загрязнений
Общие данные |
Условия окружающей среды/чистых помещений |
Ссылки на стандарты и руководства: |
Образец |
Подготовка к контролю (фотография и/или эскиз) |
Контрольные приборы |
Выполнение контроля |
Данные о чистоте воздуха по частицам и наночастицам, если необходимо: |
Результаты контроля |
Приложение ДА
(справочное)
Сведения о соответствии ссылочных международных стандартов ссылочным национальным стандартам
Таблица ДА.1
Обозначение ссылочного международного стандарта | Степень соответствия | Обозначение и наименование соответствующего национального стандарта |
ISO 14644-1 | IDT | ГОСТ ИСО 14644-1-2017 "Чистые помещения и связанные с ними контролируемые среды. Часть 1. Классификация чистоты воздуха по концентрации частиц" |
ISO 14644-6 | IDT | ГОСТ Р ИСО 14644-6-2010 "Чистые помещения и связанные с ними контролируемые среды. Часть 6. Термины" |
Примечание - В настоящей таблице использовано следующее условное обозначение степени соответствия стандартов: - IDT - идентичные стандарты. |
Библиография
[1] | ISO 14644-8 | Cleanrooms and associated controlled environments - Part 8: Classification of air cleanliness by chemical concentration |
[2] | ISO 14644-9 | Cleanrooms and associated controlled environments - Part 9: Classification on surface cleanliness by particle concentration |
[3] | ISO 18115-1 | Surface chemical analysis - Vocabulary - Part 1: General terms and terms used in spectroscopy |
[4] | ISO 17052 | Rubber, raw - Determination of residual monomers and other volatile low-molecular-mass compounds by capillary gas chromatography - Thermal desorption (dynamic headspace) method |
[5] | ISO 18116 | Surface chemical analysis - Guidelines for preparation and mounting of specimens for analysis |
[6] | ISO 10312 | Ambient air - Determination of asbestos fibres - Direct transfer transmission electron microscopy method |
[7] | JACA 43 | Standard for evaluation methods on substrate surface contamination in cleanrooms and associated controlled environments |
[8] | SEMI E46-0307 | Test method for the determination of organic contamination from minienvironments using ion mobility spectrometry (IMS) |
[9] | Fujimoto Т., Takeda K., Nonaka T. Airborne Molecular Contamination: Contamination on Substrates and the Environment in Semiconductors and Other Industries. In: Developments in Surface Contamination and Cleaning: Fundamentals and Applied Aspects, (Kohli R. & Mittal K.L. eds.). William Andrew Publishing, Norwich, New York, 2007, p.329-474 | |
[10] | Birch W., Carre A., Mittal K.L. Wettability in Surface Contamination and Cleaning. In: Developments in Surface Contamination and Cleaning: Fundamentals and Applied Aspects, (Kohli R. & Mittal K.L. eds.). William Andrew Publishing, Norwich, New York, 2007, p.693-724 | |
[11] | Fujimoto Т., Nonaka Т., Takeda K. et al. Study on Airborne Molecular Contaminants in Atmosphere and on Substrate Surfaces. Proceedings of the 18 | |
[12] | Beckhoff В., Fabry L. et al. Ultra-Trace Analysis of Light Elements and Speciation of Minute Organic Contaminants on Silicon Wafer Surfaces by Means of TXRF in Combination with NEXFS. Proceedings of ALTECH 2003 (Analytical Techniques for Semiconductor Materials and Process Characterization IV), 203 | |
[13] | Wang J. & Balazs M. et al. How Low Can the Detection Limit Go with VPD-TXRF? Proceedings of the 2001 SPWCC (Semiconductor Pure Water Chemical Conference), 362-369. Pennington, New Jersey: The Electrochemical Society, 2001 | |
[14] | JIS K 0311:2005 | Method for determination of tetra- through octa-chlorodibenzo-p-dioxins, tetra- through octa-chlorodibenzofurans and co-planar polychlorobiphenyls in stationary source emissions |
[15] | Evans K. & Anderson T.A. Instrumental analysis techniques. In: Microelectronics Failure Analysis: Desk Reference, (Electronic Device Failure Analysis Society Desk Reference Committee, ed.) ASM International, Materials Park, Ohio, Fourth Edition, 1999, p.343-51 | |
[16] | Vanderlinde W. Energy dispersive X-ray analysis. In: Microelectronics Failure Analysis: Desk Reference, (Electronic Device Failure Analysis Society Desk Reference Committee ed.). ASM International, Materials Park, Ohio, Fifth Edition, 2004, p.628-39 | |
[17] | Budde K. & Holtzapfel W. Determination of Contaminants on Substrate Surface Using IMS/MS and GC/MS. Proceedings of SEMICON Europa (1997 and 2000, Munich, Germany). San Jose, California: SEMI, 2000 | |
[18] | Chia V.K.F, & Edgell M.J. On-Water Measurement of Molecular Contaminants. In: Contamination-Free Manufacturing for Semiconductors and Other Precision Products, (Donavan R.P. ed.). M. Dekker Press, New York, 2001, 117-48. |
УДК 543.275.083:628.511:006.354 | ОКС 13.040.01 |
Ключевые слова: чистые помещения, контролируемые среды, классификация чистоты, поверхность, частицы, химические загрязнения |
Электронный текст документа
и сверен по:
, 2019