ГОСТ Р 57441-2017 Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

ГОСТ Р 57441-2017

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

Integrated circuits. Terms, definitions and letter symbols of electrical parameters

ОКС 01.040.01

31.200

Дата введения 2017-08-01

Предисловие

1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт") и Акционерным обществом "Центральное конструкторское бюро "Дейтон" (АО "ЦКБ "Дейтон")

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Электронная компонентная база, материалы и оборудование"

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 4 апреля 2017 г. N 257-ст

4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

5 ПЕРЕИЗДАНИЕ. Август 2018 г.

Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)

Введение

Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области электрических параметров интегральных микросхем.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Для каждого установленного термина приведено отечественное буквенное обозначение электрического параметра и его определение (в скобках приведено международное буквенное обозначение параметра).

Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.

В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приводится и вместо него ставится прочерк.

В пределах одного документа рекомендуется использовать одну систему обозначений - отечественную или международную.

1 Область применения

Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем, включая гибридные микросхемы, многокристальные модули и микросборки (далее - микросхемы).

Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.

2 Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

Параметры напряжения

1 напряжение питания; (): Напряжение -го источника питания, обеспечивающего работу микросхемы в заданном режиме.

Примечание - - порядковый номер источника питания.

2 напряжение питания в режиме хранения; (): Напряжение питания, необходимое для хранения информации.

3 напряжение питания в режиме ожидания; (): -*

______________________

* Текст документа соответствует оригиналу. - Примечание изготовителя базыданных.

4 входное напряжение; (): -

5 входное напряжение низкого уровня; (): Напряжение низкого уровня на входе микросхемы.

6 входное напряжение высокого уровня; (): Напряжение высокого уровня на входе микросхемы.

7 входное пороговое напряжение; (): Наибольшее (наименьшее) напряжение на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

8 входное пороговое напряжение низкого уровня; (): Наибольшее напряжение низкого уровня на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

9 входное пороговое напряжение высокого уровня; (): Наименьшее напряжение высокого уровня на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

10 напряжение сигнала стирания; (): Напряжение на выводе "Стирание", обеспечивающее удаление информации.

11 напряжение сигнала программирования; (): Напряжение на выводе "Программирование", обеспечивающее изменение информации.

12 напряжение срабатывания; (): Наименьшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переключение выхода микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

13 напряжение отпускания; (): Наибольшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переключение выхода микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

14 напряжение гистерезиса; (): Разность между напряжением срабатывания и напряжением отпускания.

15 напряжение смещения нуля; (): Постоянное напряжение, которое должно быть приложено к входу, чтобы выходное напряжение было равно нулю или другому заданному значению.

16 входное напряжение синфазное; (): Напряжение между каждым из сигнальных входов микросхемы и общим выводом, амплитуды, фазы и временное распределение которых совпадают.

17 входное напряжение дифференциальное; (): Напряжение между инвертирующим и неинвертирующим входами.

18 входное напряжение ограничения; (): Входное напряжение, при котором отклонение от линейности выходного напряжения превышает установленную величину.

19 входное напряжение покоя; (): Напряжение на входе микросхемы при отсутствии входного сигнала.

20 выходное напряжение; (): Напряжение на выходе микросхемы в заданном режиме.

21 выходное напряжение низкого уровня; (): -

22 выходное напряжение высокого уровня; (): -

23 напряжение низкого уровня в состоянии "Выключено"; (): Напряжение низкого уровня, подаваемое на выход микросхемы, находящейся в состоянии "Выключено".

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

24 напряжение высокого уровня в состоянии "Выключено"; (): Напряжение высокого уровня, подаваемое на выход микросхемы, находящейся в состоянии "Выключено".

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

25 выходное дифференциальное напряжение; (): Напряжение между инвертирующим и неинвертирующим выходами.

26 выходное напряжение покоя; (): Напряжение на выходе микросхемы при отсутствии входного сигнала.

27 коммутируемое напряжение; (): Напряжение, подаваемое на коммутирующий элемент микросхемы.

28 опорное напряжение; (): Постоянное напряжение с заданными требованиями по точности и стабильности его значения.

29 остаточное напряжение; (): Падение напряжения на открытом (включенном) коммутирующем элементе при протекании через него коммутируемого тока заданной величины.

30 напряжение шума; (): Напряжение на выходе микросхемы в заданной полосе частот при входном напряжении, равном нулю.

31 напряжение автоматической регулировки усиления; (): Напряжение на управляющем входе микросхемы, обеспечивающее регулировку коэффициента усиления в заданных пределах.

32 напряжение задержки автоматической регулировки усиления; (): Наибольшее абсолютное значение напряжения на управляющем входе микросхемы, при котором ее коэффициент усиления остается неизменным.

33 напряжение изоляции; (): Напряжение, которое может быть приложено между входной и выходной изолированными цепями микросхемы, при котором сохраняется ее электрическая прочность.

34 напряжение пульсаций источника питания; (): Значение переменной составляющей напряжения источника питания на выводах питания микросхемы, при котором параметры микросхемы удовлетворяют заданным требованиям.

35 падение напряжения; (): Разность между входным и выходным напряжением микросхемы в заданном режиме.

36 минимальное падение напряжения; (): Наименьшее значение падения напряжения в заданном режиме, при котором параметры микросхемы соответствуют установленным значениям.

37 нестабильность по напряжению; (): Изменение выходного напряжения при изменении входного напряжения.

38 нестабильность по току; (): Изменение выходного напряжения при изменении выходного тока.

Параметры тока

39 ток потребления; (): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания.

40 ток потребления при выходном напряжении низкого уровня; (): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания при выходном напряжении низкого уровня.

41 ток потребления при выходном напряжении высокого уровня; (): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания при выходном напряжении высокого уровня.

42 ток потребления в состоянии "Выключено"; (): Ток, потребляемый микросхемой в состоянии "Выключено" на выходе.

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

43 динамический ток потребления; (): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания при переключении с заданной частотой.

44 ток потребления в режиме хранения; (): Ток, потребляемый микросхемой в режиме хранения информации.

45 ток стирания; () - Ток, протекающий в цепи вывода "Стирание" микросхемы.

46 входной ток; (): Ток, протекающий во входной цепи микросхемы в заданном режиме.

47 входной ток низкого уровня; (): Ток, протекающий во входной цепи микросхемы при входном напряжении низкого уровня.

48 входной ток высокого уровня; (): Ток, протекающий во входной цепи микросхемы при входном напряжении высокого уровня.

49 разность входных токов; (): Разность значений токов, протекающих через инвертирующий и неинвертирующий входы в заданном режиме.

50 входной пробивной ток; (): Входной ток при максимальном напряжении на входе микросхемы, не вызывающем необратимых процессов в микросхеме.

51 выходной ток; (): Ток, протекающий в выходной цепи микросхемы в заданном режиме.

52 выходной ток низкого уровня; (): Ток, протекающий в выходной цепи микросхемы при выходном напряжении низкого уровня.

53 выходной ток высокого уровня; (): Ток, протекающий в выходной цепи микросхемы при выходном напряжении высокого уровня.

54 выходной ток низкого уровня в состоянии "Выключено"; (): Выходной ток микросхемы, выход которой находится в состоянии "Выключено", при подаче на измеряемый выход заданного напряжения низкого уровня.

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

55 выходной ток высокого уровня в состоянии "Выключено"; (): Выходной ток микросхемы, выход которой находится в состоянии "Выключено", при подаче на измеряемый выход заданного напряжения высокого уровня.

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

56 ток короткого замыкания; (): Выходной ток при замыкании выхода микросхемы на общий вывод (на вывод питания).

57 ток утечки; (): Ток в цепи микросхемы при закрытом состоянии цепи и заданных режимах на остальных выводах.

58 ток утечки на входе; (): Ток во входной цепи микросхемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах.

59 ток утечки низкого уровня на входе; (): Ток утечки во входной цепи микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

60 ток утечки высокого уровня на входе; (): Ток утечки во входной цепи микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

61 ток утечки на выходе; (): Ток в выходной цепи микросхемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах.

62 ток утечки низкого уровня на выходе; (): Ток утечки при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

63 ток утечки высокого уровня на выходе; (): Ток утечки при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

64 ток автоматической регулировки усиления; (): Ток, протекающий через регулирующий вход микросхемы и обеспечивающий регулировку коэффициента усиления в заданных пределах.

65 режимный ток; (): Постоянный ток, устанавливаемый внешним источником в цепи питания для обеспечения заданных параметров.

Параметры мощности

66 потребляемая мощность; (): Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в заданном режиме.

67 входная мощность; (): Мощность, потребляемая микросхемой от источника входного сигнала для обеспечения заданной мощности на нагрузке.

68 выходная мощность; (): Мощность, выделяемая на нагрузке в заданном режиме.

69 рассеиваемая мощность; (): Мощность, рассеиваемая микросхемой, работающей в заданном режиме.

70 динамическая потребляемая мощность; (): Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в режиме переключения с заданной частотой.

71 потребляемая мощность в режиме хранения; (): Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в режиме хранения.

Параметры сопротивления

72 входное сопротивление; (): Отношение приращения входного напряжения микросхемы к приращению активной составляющей входного тока при заданной частоте сигнала.

73 выходное сопротивление; (): Отношение приращения выходного напряжения микросхемы к приращению активной составляющей выходного тока при заданной частоте сигнала.

74 сопротивление нагрузки; (): Суммарное активное сопротивление внешних цепей, подключенных к выходу микросхемы.

75 сопротивление в открытом состоянии; (): Отношение падения напряжения между входом и соответствующим выходом микросхемы к току, протекающему через этот выход, в заданном режиме.

76 сопротивление изоляции; (): Сопротивление между входной и выходной изолированными цепями микросхемы.

Параметры емкости

77 входная емкость; (): Отношение емкостной реактивной составляющей входного тока микросхемы к произведению синусоидального входного напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты.

78 выходная емкость; (): Отношение емкостной реактивной составляющей выходного тока микросхемы к произведению синусоидального выходного напряжения, вызванного этим током, и его круговой частоты.

79 емкость нагрузки; (): Суммарная емкость внешних цепей, подключенных к выходу микросхемы.

80 емкость входа/выхода; (): Значение емкости объединенного входа/выхода, равное отношению емкостной реактивной составляющей входного или выходного тока микросхемы к произведению круговой частоты и синусоидального входного или выходного напряжения при заданном значении частоты сигнала.

81 емкость аналогового входа; (): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый вход микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

82 емкость аналогового выхода; (): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый выход микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

83 емкость управляющего входа; (): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через управляющий вход микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

84 емкость между аналоговыми выходом и входом; (): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего между аналоговым выходом и аналоговым входом микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

Временные параметры

85 время включения; (): Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме включения.

86 время выключения; (): Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме выключения.

87 время переключения; (): Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме переключения.

88 время задержки включения; (): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 или на заданном уровне напряжения.

89 время задержки выключения; (): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,9 или на заданном уровне напряжения.

90 время задержки распространения при включении; (): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданном уровне напряжения.

91 время задержки распространения при выключении ; (): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданном уровне напряжения.

92 время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние "Выключено"; (): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению в состоянии "Выключено", измеренный на заданном уровне напряжения.

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

93 время задержки распространения при переходе из состояния "Выключено" в состояние высокого уровня; (): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения в состоянии "Выключено" к напряжению высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

94 время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние "Выключено"; (): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению в состоянии "Выключено", измеренный на заданном уровне напряжения.

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

95 время задержки распространения при переходе из состояния "Выключено" в состояние низкого уровня; (): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения в состоянии "Выключено" к напряжению низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

96 время нарастания входного сигнала; (): Интервал времени нарастания амплитуды входного сигнала микросхемы от уровня 0,1 до 0,9 от заданного значения.

97 время спада входного сигнала; (): Интервал времени убывания амплитуды входного сигнала микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0,1 от заданного значения.

98 время нарастания выходного сигнала; (): Интервал времени нарастания амплитуды выходного сигнала микросхемы от уровня 0,1 до уровня 0,9 от заданного значения.

99 время спада выходного сигнала; (): Интервал времени убывания амплитуды выходного сигнала микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0,1 от заданного значения.

100 время цикла; (): Длительность периода сигналов на одном из управляющих входов, в течение которого микросхема выполняет одну из функций.

101 время цикла записи информации; (): Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого микросхема осуществляет запись информации.

102 время цикла считывания информации; (): Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого микросхема осуществляет считывание информации.

103 время выборки; (): Интервал времени, измеренный на заданных уровнях, между подачей сигнала на управляющий вход и получением на выходе сигнала информации при условии, что все остальные необходимые сигналы поданы.

104 время установления входных сигналов; (): Интервал времени между началом сигнала на заданном входе и последующим активным переходом на другом заданном входе.

105 время удержания; (): Интервал времени, в течение которого сигнал удерживается на заданном входе после переключения сигнала на другом заданном входе.

106 время восстановления; (): Интервал времени между окончанием заданного сигнала на выводе микросхемы и началом заданного сигнала в следующем цикле.

107 время сохранения сигнала; (): Интервал времени, в течение которого выходной сигнал является достоверным или в течение которого входной сигнал должен оставаться достоверным.

108 время хранения информации; (): Интервал времени, в течение которого микросхема в заданном режиме хранит информацию.

109 время установления выходного напряжения; (): Интервал времени с момента достижения выходным напряжением уровня 0,9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданной величины.

110 время преобразования; (): Интервал времени от момента заданного изменения сигнала на входе до появления на выходе соответствующего параметра сигнала.

111 время успокоения выходного напряжения; (): Интервал времени с момента достижения выходным импульсом прямоугольной формы уровня 0,5 до момента последнего пересечения выходным напряжением микросхемы заданной величины.

112 время регенерации; (): Интервал времени между началом последовательных сигналов, предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической памяти до его первоначального значения.

113 длительность сигнала; (): Интервал времени между заданными уровнями при нарастании и спаде импульса.

114 длительность сигнала низкого уровня; (): Интервал времени от момента перехода сигнала из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня до момента его перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

115 длительность сигнала высокого уровня; (): Интервал времени от момента перехода сигнала из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня до момента перехода его из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

116 период следования тактовых импульсов; (): Интервал времени между началами или окончаниями следующих друг за другом периодических импульсов, измеренный на заданном уровне напряжения.

Коэффициенты

117 коэффициент усиления напряжения; (): Отношение приращения выходного напряжения к приращению входного напряжения.

118 коэффициент усиления тока; (): Отношение приращения выходного тока к приращению входного тока.

119 коэффициент усиления мощности; (): Отношение приращения выходной мощности к приращению входной мощности.

120 коэффициент усиления синфазных входных напряжений; (): Отношение приращения выходного напряжения к приращению синфазного входного напряжения.

121 коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля; (): Отношение приращения напряжения смещения нуля к вызвавшему его приращению напряжения источника питания.

122 коэффициент умножения частоты; (): Отношение частоты выходного сигнала к частоте входного сигнала.

123 коэффициент деления частоты; (): Отношение частоты входного сигнала к частоте выходного сигнала.

124 коэффициент подавления сигнала между каналами; (): Отношение переменной составляющей коммутируемого входного напряжения открытого канала к переменной составляющей выходного напряжения на любом другом закрытом канале.

125 коэффициент ослабления синфазных входных напряжений; (): Отношение коэффициента усиления напряжения к коэффициенту усиления синфазных входных напряжений.

126 коэффициент гармоник; (): Отношение среднеквадратического напряжения суммы всех, кроме первой, гармоник сигнала к среднеквадратическому напряжению суммы всех гармоник.

127 коэффициент нелинейности амплитудной характеристики; (): Наибольшее отклонение значения крутизны амплитудной характеристики относительно значения крутизны амплитудной характеристики, изменяющейся по линейному закону.

128 коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики; (): Отношение максимального значения выходного напряжения к минимальному значению в заданном диапазоне частот полосы пропускания.

129 коэффициент полезного действия; (): Отношение выходной мощности микросхемы к потребляемой мощности.

130 коэффициент разделения каналов; (): Отношение выходного напряжения активного канала микросхемы (с сигналом на входе) к выходному напряжению пассивного канала микросхемы (при отсутствии входного сигнала).

131 коэффициент передачи; (): Отношение приращения значения выходного напряжения к приращению значения входного напряжения.

132 коэффициент шума; (): Отношение среднеквадратического напряжения шумов на выходе к среднеквадратическому напряжению шума источника входного сигнала в заданной полосе частот.

133 коэффициент преобразования; (): Отношение приращения параметра выходного сигнала к вызвавшему его приращению параметра входного сигнала.

134 температурный коэффициент входного тока; (): Отношение изменения входного тока к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

135 температурный коэффициент разности входных токов; (): Отношение изменения разности входных токов к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

136 температурный коэффициент напряжения смещения нуля; (): Отношение изменения напряжения смещения нуля к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

137 температурный коэффициент опорного напряжения; (): Отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

138 температурный коэффициент выходного напряжения; (): Отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

139 коэффициент стоячей волны на входе; (): Отношение напряженности электрического поля в максимуме к напряженности электрического поля в минимуме стоячей волны входного сигнала.

140 коэффициент стоячей волны на выходе; (): Отношение напряженности электрического поля в максимуме к напряженности электрического поля в минимуме стоячей волны выходного сигнала.

141 коэффициент сглаживания пульсаций; (): Отношение амплитудного значения пульсаций входного напряжения заданной частоты к амплитудному значению пульсаций выходного напряжения той же частоты.

Параметры частоты

142 частота входного сигнала; (): -

143 частота выходного сигнала; (): -

144 частота генерирования; (): -

145 частота следования импульсов тактовых сигналов; (): -

146 частота коммутации; (): -

147 частота единичного усиления; (): Частота, на которой коэффициент усиления напряжения (при разомкнутой цепи обратной связи) равен единице.

148 частота полной мощности; (): Частота, на которой значение максимального выходного напряжения уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.

149 полоса пропускания; (BW): Диапазон частот, в пределах которого коэффициент усиления снижается не более чем на 3 дБ по сравнению с коэффициентом усиления на заданной частоте в пределах заданного диапазона.

150 центральная частота полосы пропускания; (): Частота, равная половине суммы нижней и верхней граничных частот полосы пропускания микросхемы.

151 нижняя граничная частота полосы пропускания; (): Наименьшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.

152 верхняя граничная частота полосы пропускания; (): Наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.

153 частота среза; (): Частота, на которой коэффициент усиления напряжения при разомкнутой цепи обратной связи уменьшается от значения на заданной частоте на 3 дБ.

154 диапазон частот; (): Диапазон частот, в котором значение коэффициента преобразования остается в пределах, установленных в ТУ.

Прочие параметры

155 динамический диапазон по напряжению; (): Отношение максимального значения напряжения к минимальному значению напряжения.

156 дрейф выходного напряжения; (): Наибольшее значение относительного изменения выходного напряжения в течение заданного интервала времени.

157 дрейф опорного напряжения; (): Наибольшее значение относительного изменения опорного напряжения в течение заданного интервала времени.

158 дрейф выходного тока; (): Наибольшее значение относительного изменения выходного тока в течение заданного интервала времени.

159 скорость нарастания выходного напряжения; (): Отношение изменения выходного напряжения от уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход микросхемы импульса прямоугольной формы.

160 максимальная скорость нарастания выходного напряжения; (): Отношение изменения выходного напряжения от уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход микросхемы импульса прямоугольной формы максимального входного напряжения.

161 нормированная электродвижущая сила шума; (): Отношение напряжения шума на выходе микросхемы в заданной полосе частот к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы частот измеряемого шума.

162 диапазон автоматической регулировки усиления; (AGC): Отношение максимального значения коэффициента усиления напряжения к минимальному его значению при изменении входного управляющего напряжения в заданных пределах.

163 порог чувствительности; S (S): Наименьшее значение входного сигнала, при котором коэффициент преобразования принимает заданное значение.

164 индукция срабатывания; (): Наименьшее значение индукции внешнего магнитного поля, при котором происходит переход выходного напряжения от одного устойчивого состояния к другому.

165 индукция отпускания; (): Наибольшее значение индукции внешнего магнитного поля, при котором происходит переход выходного напряжения от одного устойчивого состояния к другому.

166 крутизна проходной характеристики; (): Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного напряжения в заданном электрическом режиме.

167 отношение сигнал/шум; (): Отношение эффективного значения выходного напряжения, содержащего низкочастотные составляющие, соответствующие частотам модулирующего напряжения, к эффективному значению выходного напряжения при немодулированном сигнале в определенной полосе частот.

168 фазовый сдвиг интегральной микросхемы; (): Разность между фазами выходного и входного сигналов микросхемы на заданной частоте.

169 фазовая ошибка; (): Среднеквадратическое отклонение фазы выходного напряжения от значения фазы заданного входного сигнала.

Алфавитный указатель терминов на русском языке

Электронный текст документа

и сверен по:

, 2018