ГОСТ 17704-72
Группа Э00
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ.
ПРИЕМНИКИ ЛУЧИСТОЙ ЭНЕРГИИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
Классификация и система обозначений
Semiconductor devices. Photoelectric receivers of radiant energy.
Classification and system of designations
МКС 01.040.31
31.080
Дата введения 1973-07-01
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 11 мая 1972 г. N 952 дата введения установлена 01.07.73
ПЕРЕИЗДАНИЕ.
Настоящий стандарт распространяется на неохлаждаемые и охлаждаемые фотоэлектрические полупроводниковые приемники лучистой энергии и устанавливает классификацию и систему единого обозначения фоторезисторов, фотомагнитных приемников, фотоприемников с
1. КЛАССИФИКАЦИЯ
1.1. Классификация фотоэлектрических полупроводниковых приемников лучистой энергии должна соответствовать схеме, представленной на чертеже.
2. СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ
2.1. Первый элемент обозначения полупроводниковых фотоэлектрических приемников лучистой энергии определяет группу приемника:
- фоторезисторы неохлаждаемые - ФР;
- фоторезисторы охлаждаемые - ФРО;
- приемники фотомагнитные неохлаждаемые - ФМ;
- приемники фотомагнитные охлаждаемые - ФМО;
- фотоприемники с
- фотоприемники с
- фотоприемники с
- фотоприемники с
2.2. Второй элемент обозначения полупроводниковых фотоэлектрических приемников лучистой энергии определяет материал, из которого изготовлен прибор. Обозначение материала должно соответствовать указанному в таблице.
| Второй элемент обозначения | |
Материал | Обозначение материала фоточувствительного элемента, предназначенного | Обозначение материала фоточувствительного элемента, предназначенного для приемников специального применения |
1. Германий | ГО | 10 |
2. Германий, легированный: | ||
а) бором | ГБ | 11 |
б) золотом | ГЗ | 12 |
в) кадмием | ГА | 13 |
г) медью | ГМ | 14 |
д) ртутью | ГР | 15 |
е) цинком | ГЦ | 16 |
ж) цинком и сурьмой | Г1 | 17 |
з) золотом и сурьмой | Г2 | 18 |
3. Германиево-кремниевый сплав | ГК | 19 |
4. Кремний | К | 20 |
5. Кремний, легированный: | ||
а) алюминием | КЮ | 21 |
б) бором | КБ | 22 |
в) галлием | КГ | 23 |
6. Антимонид галлия | АГ | 31 |
7. Арсенид галлия | РГ | 32 |
8. Фосфид галлия | ФГ | 33 |
9. Антимонид индия | АИ | 41 |
10. Арсенид индия | РИ | 42 |
11. Фосфид индия | ФИ | 43 |
12. Сульфид свинца | СС | 51 |
13. Селенид свинца | ЕС | 52 |
14. Теллурид свинца | ТС | 53 |
15. Сульфид цинка | СЦ | 61 |
16. Сульфид кадмия | СА | 71 |
17. Селенид кадмия | ЕА | 72 |
18. Теллурид кадмия | ТА | 73 |
19. Теллурид ртути | ТР | 83 |
20. Тройные соединения: | ||
а) Cd | Х1 | 91 |
б) Pb | Х2 | 92 |
в) Pb | Х3 | 93 |
Материал фоточувствительного элемента в обозначении приемника записывается либо в буквенном, либо в цифровом варианте в зависимости от назначения (области применения) приемника.
При обозначении двухцветных приемников и приемников с гетеропереходами необходимо указывать оба материала через разделительное тире. Материал с меньшей шириной запрещенной зоны должен записываться первым.
2.3. Третий элемент обозначения полупроводниковых фотоэлектрических приемников лучистой энергии определяет порядковый номер разработки приемников в подгруппе и обозначается от 001 до 999.
2.4. Четвертый элемент обозначения полупроводниковых фотоэлектрических приемников лучистой энергии определяет подгруппу приемников:
- фоторезисторы многоэлементные - П (одно- и двухэлементные фоторезисторы обозначения подгруппы не имеют);
- фототранзистор униполярный - У;
- фототранзистор биполярный - Б;
- фотодиод лавинный - Л;
- фототиристор - Т;
- фотодиод координатный - К (некоординатные фотодиоды обозначения подгруппы не имеют).
2.5. В технически обоснованных случаях допускается присвоение полупроводниковым приемникам лучистой энергии сокращенных и дополнительных обозначений, что должно быть оговорено в стандартах или другой технической документации на приборы конкретных типов, утвержденных в установленном порядке.
2.6. Пример условного обозначения приемника лучистой энергии:
фотодиод неохлаждаемый из германия, легированного золотом, предназначенный для широкого применения, координатный. Номер разработки 001:
ФД-ГЗ-001К
То же фоторезистор охлаждаемый из сульфида свинца, предназначенный для специального применения, многоэлементный. Номер разработки 011:
ФРО-51-011П
2.7. Настоящие обозначения не должны применяться в случаях обязательного применения кодов общесоюзного классификатора продукции.
Электронный текст документа
и сверен по:
Электроника. Термины и определения.
Часть 1: Сб. стандартов. -
М.: ИПК Издательство стандартов, 2005