ГОСТ 21934-83
Группа Э00
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА
Термины и определения
Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices.
Terms and definitions
МКС 01.040.31
31.080
ОКСТУ 6250
Дата введения 1984-07-01
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 25 апреля 1983 г. N 2043 дата введения установлена 01.07.84
ВЗАМЕН ГОСТ 21934-76, ГОСТ 22899-78
ИЗДАНИЕ с Изменением N 1, утвержденным в августе 1984 г. (ИУС 12-84).
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств и термины, определения и буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик.
Термины и буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Стандарт соответствует СТ СЭВ 2767-80 в части фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения (см. приложение 2) и СТ СЭВ 3787-82 в части раздела 2.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается.
Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования. Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.
В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте имеется приложение 1, содержащее общие понятия, используемые в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым.
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |||||||||
русское | междуна- родное | ||||||||||
1. Фоточувствительный полупроводниковый прибор D. Photoempfindliches Halbleiterbauelement Е. Photosensitive semiconductor device F. Dispositif semiconducteur photosensible | - | - | Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра | ||||||||
2. Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения ФЭПП D. Halbleiterphotoelement Е. Photoelectric semiconductor detector F. | - | - | Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте в полупроводнике | ||||||||
3. Фотоприемное устройство ФПУ | - | - | Фоточувствительный полупроводниковый прибор, состоящий из фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и схемы предварительного усиления фотосигнала в гибридном или интегральном исполнении, объединенных в единую конструкцию | ||||||||
ВИДЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ | |||||||||||
4. Многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Многоспектральный ФЭПП D. Е. Multi-band photodetector F. | - | - | Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий два и более фоточувствительных элементов с различными диапазонами спектральной чувствительности | ||||||||
5. Одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Одноэлементный ФЭПП D. Е. Single-element detector F. | - | - | Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий один фоточувствительный элемент | ||||||||
6. Многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Многоэлементный ФЭПП D. Е. Multi-element detector F. | - | - | Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения с числом фоточувствительных элементов больше одного. Примечание. Допускается применять термин "двух-, трех-, четырехэлементный" фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения | ||||||||
7. Координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Координатный ФЭПП D. Ortsempfindlicher Е. Position-sensitive detector | - | - | Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фоточувствительной поверхности | ||||||||
8. Гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Гетеродинный ФЭПП D. Е. Heterodyne detector F. | - | - | Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения | ||||||||
9. Иммерсионный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Иммерсионный ФЭПП D. Е. Immersed detector F. | - | - | Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий иммерсионный сигнал | ||||||||
10. Фоторезистор D. Photowiderstand Е. Photoconductive cell F. Cellule photoinductive | - | - | Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости | ||||||||
11. Фотодиод D. Photodiode E. Photodiode F. Photodiode | - | - | Полупроводниковый диод с | ||||||||
12. D. Pin-Photodiode E. Pin-Photodiode F. Pin-Photodiode | - | - | Фотодиод, дырочная и электронная области которого разделены слоем материала с проводимостью, близкой к собственной | ||||||||
13. Фотодиод с барьером Шоттки D. Schottky-Photodiode E. Schottky-Barrier-Photodiode | - | - | Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом | ||||||||
14. Фотодиод с гетеропереходом D. Photodiode mit E. Heterojunction photodiode | - | - | Фотодиод, электронно-дырочный переход которого образован двумя полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Примечание. Переход может быть образован сложными полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны | ||||||||
15. Лавинный фотодиод D. Lawinenphotodiode E. Avalanche photodiode F. Photodiode | - | - | Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле | ||||||||
16. Инжекционный фотодиод D. Injektionsphotodiode E. Injection photodiode F. Photodiode d'injection | - | - | Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда | ||||||||
17. Фототранзистор D. Phototransistor E. Phototransistor F. Phototransistor | - | - | Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект | ||||||||
18. Полевой фототранзистор D. Photofeldeffekttransistor E. Field effect phototransistor F. Phototransistor | - | - | Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора | ||||||||
19. Биполярный фототранзистор D. Bipolarphototransistor E. Bipolar phototransistor F. Phototransistor bipolaire | - | - | Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора | ||||||||
20. Охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Охлаждаемый ФЭПП D. E. Cooled detector F. | - | - | Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, работающий со специальной системой охлаждения для понижения температуры фоточувствительного элемента | ||||||||
ВИДЫ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ | |||||||||||
21. Одноэлементное фотоприемное устройство Одноэлементное ФПУ | - | - | Фотоприемное устройство, в котором используется одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения | ||||||||
22. Многоэлементное фотоприемное устройство с разделенными каналами Многоэлементное ФПУ с разделенными каналами | - | - | Фотоприемное устройство, имеющее два и более фоточувствительных элемента, с независимой обработкой фотосигнала, снимаемого с каждого элемента, и числом выходов, равным числу фоточувствительных элементов | ||||||||
23. Многоэлементное фотоприемное устройство с внутренней коммутацией Многоэлементное ФПУ с внутренней коммутацией | - | - | Фотоприемное устройство с числом фоточувствительных элементов два и более, в котором происходит коммутация их сигналов так, что выходов фотоприемного устройства меньше, чем число фоточувствительных элементов | ||||||||
24. Многоспектральное фотоприемное устройство Многоспектральное ФПУ | - | - | Фотоприемное устройство, содержащее многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения | ||||||||
25. Фоточувствительный полупроводниковый сканистор | Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем непрерывном сканировании поля изображения при подаче на управляющие электроды приборы пилообразного напряжения развертки | ||||||||||
26. Охлаждаемое фотоприемное устройство Охлаждаемое ФПУ | - | - | Фотоприемное устройство, в котором для обнаружения и (или) измерения оптического излучения используется охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения | ||||||||
27. Монолитное фотоприемное устройство Монолитное ФПУ | - | - | Фотоприемное устройство, выполненное единым технологическим циклом на едином кристалле или подложке | ||||||||
28. Гибридное фотоприемное устройство Гибридное ФПУ | - | - | Фотоприемное устройство, выполненное объединением в единой интегральной схеме частей, полученных путем различных технологических циклов | ||||||||
РЕЖИМЫ РАБОТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ И (ИЛИ) ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА | |||||||||||
29. Режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Режим ОФ D. Durch Hintergrundquantenfluktuation begrenzter Zustand des E. Background limited F. | - | - | Условия, при которых обнаружительная способность фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения определяется флуктуациями числа фотонов теплового излучения фона | ||||||||
30. Режим оптической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Режим ОГ | - | - | Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором число свободных носителей заряда, генерированных излучением, превышает число термически генерированных носителей | ||||||||
31. Режим термической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Режим ТГ | - | - | Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором число свободных носителей заряда в отсутствии полезного сигнала определяется только термической генерацией | ||||||||
32. Фотодиодный режим D. Sperrvorspannunsbetriebsweise der Halbleiterphotovoltzelle Е. Back-biased mode of photovoltaic detector operation F. | - | - | Режим работы фотодиода без внутреннего усиления при рабочем напряжении, приложенном в обратном направлении | ||||||||
33. Лавинный режим работы фотодиода D. Е. Avalanche mode of photodiode operation | - | - | Режим работы фотодиода с внутренним усилением, который обеспечивается лавинным размножением носителей заряда при обратном смещении электронно-дырочного перехода | ||||||||
34. Фотогальванический режим D. Nullvorspannungsbetriebsweiese der Halbleiterphotovoltzelle Е. Zero-bias mode of photovoltaic detector operation F. | - | - | Режим работы фотодиода без внешнего источника напряжения | ||||||||
35. Режим работы фототранзистора с плавающей базой D. Phototransistorbetriebsweise mit offener Basis Е. Floating-base phototransistor operation F. | - | - | Режим работы биполярного фототранзистора при разомкнутой цепи базы с запирающим напряжением на коллекторе | ||||||||
36. Режим короткого замыкания фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Режим короткого замыкания ФЭПП D. Kurzschlussbetrieb des Е. Short-circuit mode of detector operation F. Fonctionnement du | - | - | Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором внешнее нагрузочном сопротивление пренебрежимо мало по сравнению с выходным динамическим сопротивлением ФЭПП | ||||||||
37. Режим холостого хода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Режим холостого хода ФЭПП D. Leerlaufbetrieb des Е. Open-circuit mode of detector operation F. Fonctionnement du | - | - | Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором выходное динамическое сопротивление ФЭПП пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением нагрузки | ||||||||
38. Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с согласованной нагрузкой Режим работы ФЭПП с согласованной нагрузкой D. E. Matched impedance mode of detector operation F. | - | - | Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором сопротивление нагрузки равно выходному динамическому сопротивлению ФЭПП | ||||||||
39. Режим оптического гетеродинного приема фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Режим оптического гетеродинного приема ФЭПП D. E. Heterodyne reception mode of detector operation F. | - | - | Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором происходит смешение полезного сигнала с сигналом от гетеродина, за счет чего достигается усиление полезного сигнала | ||||||||
КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ И ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА
| |||||||||||
40. Фоточувствительный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Фоточувствительный элемент D. Lichtempfindliches Element eines E. Detector sensitive element F. | - | - | Часть монокристалла или полупроводникового слоя, обладающего свойствами внутреннего фотоэффекта, имеющего определенную форму, расположение и геометрические размеры и предназначенная для приема оптического излучения | ||||||||
41. Вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Вывод ФЭПП D. E. Detector terminal F. Branchement du | - | - | Элемент конструкции корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью | ||||||||
42. Контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Контакт фоточувствительного элемента | - | - | Участок фоточувствительного элемента, обеспечивающий электрическую связь вывода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с фоточувствительным элементом | ||||||||
43. Корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Корпус ФЭПП D. E. Photodetector package F. Boitier du | - | - | Часть конструкции фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, предназначенная для защиты ФЭПП от воздействия окружающей среды и присоединения его к внешним схемам с помощью выводов | ||||||||
44. Иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Иммерсионный элемент ФЭПП D. E. Detector optical immersion element F. | - | - | Оптический элемент, находящийся в оптическом контакте с фоточувствительным элементом фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и служащий для концентрации потока излучения | ||||||||
45. Подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Подложка ФЭПП D. Schichttrager des Е. Detector-film base | - | - | Конструктивный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, на который наносится фоточувствительный слой | ||||||||
46. Входное окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Входное окно ФЭПП D. Е. Detector window F. | - | - | Оптический элемент, входящий в конструкцию корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и пропускающий излучение к фоточувствительному элементу | ||||||||
47. Апертурная диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Апертурная диафрагма ФЭПП D. Aperturblende des Е. Detector aperture stop F. Diaphragme d'ouverture du | - | - | Конструктивный элемент, ограничивающий эффективное поле зрения фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | ||||||||
48. Выход фотоприемного устройства | - | - | Часть фотоприемного устройства, обеспечивающая связь фотоприемного устройства с внешней электрической цепью | ||||||||
ПАРАМЕТРЫ НАПРЯЖЕНИЙ, СОПРОТИВЛЕНИЙ, ТОКОВ ФЭПП | |||||||||||
49. Рабочее напряжение ФЭПП D. Betriebsspannung Е. Operating voltage F. Tension de Tension de service | Постоянное напряжение, приложенное к ФЭПП, при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе | ||||||||||
50. Пробивное напряжение фотодиода D. Durchbruchspannung einer Photodiode Е. Breakdown voltage of a photodiode F. Tension de claquage de photodiode | Значение обратного напряжения, не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения | ||||||||||
51. Максимально допустимое напряжение ФЭПП D. Maximal Е. Maximum admissible voltage F. Tension maximale admissible | Максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к ФЭПП при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной его работе | ||||||||||
52. Электрическая прочность изоляции ФЭПП D. Isolationsfestigkeit Е. Insulating strength F. | Максимально допустимое напряжение между выводами и корпусом ФЭПП, при котором в течение длительного времени не происходит пробоя изоляции или уменьшения сопротивления изоляции | ||||||||||
53. Дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП D. Differentieller electrischer Widerstand Е. Differential electrical resistance F. | Отношение малых приращений напряжения и тока на ФЭПП | ||||||||||
54. Статическое сопротивление ФЭПП D. Statischer Widerstand Е. Static resistance F. | Отношение постоянного напряжения ФЭПП к проходящему через него постоянному току | ||||||||||
55. Темновое сопротивление ФЭПП D. Dunkelwiderstand Е. Dark resistance F. Resistance | Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности* | ||||||||||
56. Сопротивление фотодиода при нулевом смещении D. Nullpunktwiderstand einer Photodiode Е. Zero bias resistance of a photodiode F. | Сопротивление фотодиода по постоянному току вблизи нулевой точки вольт-амперной характеристики при малых напряжениях смещения (около 10 мВ) при отсутствии облучения в диапазоне его спектральной чувствительности* | ||||||||||
57. Световое сопротивление ФЭПП D. Hellwiderstand Е. Resistance under illumination F. | Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности | ||||||||||
58. Темповой ток ФЭПП D. Dunkelstrom Е. Dark current F. Courant | Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* | ||||||||||
59. Фототок ФЭПП D. Photostrom Е. Photocurrent F. Photocourant | Ток, проходящий через ФЭПП при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением. Примечание. Кроме равновесного теплового излучения при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП | ||||||||||
60. Общий ток ФЭПП D. Gesamtstrom Е. Total current F. Courant total | Ток ФЭПП, состоящий из темнового тока и фототока | ||||||||||
61. Напряжение фотосигнала ФЭПП D. Photosignalspannung Е. Photoelectric signal voltage F. Tension de signal | Изменение напряжения на ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала. Примечание. Так как по переменному току нагрузка обычно подключена параллельно ФЭПП, то напряжение фотосигнала можно измерять на нагрузке | ||||||||||
62. Ток фотосигнала ФЭПП D. Photosignalstrom Е. Photoelectric signal current F. Courant de signal | Изменение тока в цепи ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала | ||||||||||
ПАРАМЕТРЫ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ФЭПП** | |||||||||||
63. Чувствительность ФЭПП D. Ansprechempfindlichkeit Е. Responsivity F. | Отношение изменения электрической величины на выходе ФЭПП, вызванного падающим на него излучением, к количественной характеристике этого излучения, представленной любой энергетической или фотометрической величиной | ||||||||||
64. Чувствительность ФЭПП к потоку излучения D. Е. Radiant flux responsivity F. | - | ||||||||||
65. Чувствительность ФЭПП к световому потоку D. Lichtstromempfindlichkeit Е. Luminous flux responsivity F. | - | ||||||||||
66. Чувствительность ФЭПП к облученности D. Е. Irradiance responsivity F. | - | ||||||||||
67. Чувствительность ФЭПП к освещенности D. Е. Illumination responsivity F. | - | ||||||||||
68. Токовая чувствительность ФЭПП D. Stromempfindlichkeit Е. Current responsivity F. | - | ||||||||||
69. Вольтовая чувствительность ФЭПП D. Spannungsempfindlichkeit Е. Voltage responsivity F. | - | ||||||||||
70. Интегральная чувствительность ФЭПП D. Gesamtempfindlichkeit Е. Total responsivity F. | Чувствительность ФЭПП к немонохроматическому излучению заданного спектрального состава | ||||||||||
71. Монохроматическая чувствительность ФЭПП D. Monochromatische Empfindlichkeit Е. Monochromatic responsivity F. | Чувствительность ФЭПП к монохроматическому излучению | ||||||||||
72. Статическая чувствительность ФЭПП D. Statische Empfindlichkeit Е. Static responsivity F. | Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением постоянных значений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения | ||||||||||
73. Дифференциальная чувствительность ФЭПП D. Differentielle Empfindlichkeit Е. Differential responsivity F. | Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением малых приращений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения | ||||||||||
74. Импульсная чувствительность ФЭПП D. Impulsempfindlichkeit Е. Pulse responsivity F. | Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением амплитудных значений электрической величины на выходе ФЭПП и импульсного потока излучения заданной формы модуляции | ||||||||||
75. Наклон люксомической характеристики фоторезистора D. Steilheit der Lux-Ohm-Kennlinie Е. Illuminance-resistance characteristique slope F. Pente de | Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе | ||||||||||
ПАРАМЕТРЫ ПОРОГА И ШУМА ФЭПП | |||||||||||
76. Ток шума ФЭПП D. Rauschstrom Е. Noise current F. Courant de bruit | Среднее квадратичное значение флуктуации общего тока ФЭПП в заданной полосе частот | ||||||||||
77. Напряжение шума ФЭПП D. Rauschspannung Е. Noise voltage F. Tension de bruit | Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот | ||||||||||
78. Порог чувствительности ФЭПП Порог D. Е. Noise equivalent power F. Puissance | Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения. Примечание. Полосу частот выбирают, как правило, в пределах 20% от частоты модуляции, так, чтобы изменением спектральной плотности шума в ее пределах можно было пренебречь | ||||||||||
79. Порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот Порог в единичной полосе частот D. Е. Unit frequency bandwidth noise equivalent power F. Puissance | Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения источника фотосигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума, приведенному к единичной полосе на частоте модуляции потока излучения | ||||||||||
80. Удельный порог чувствительности ФЭПП Удельный порог D. Spezifische Е. Specific noise equivalent power F. Puissance | Порог чувствительности ФЭПП, приведенный к единичной полосе частот и единичному по площади фоточувствительному элементу | ||||||||||
81. Обнаружительная способность ФЭПП D. R. Detectivity F. | Величина, обратная порогу чувствительности ФЭПП | ||||||||||
82. Удельная обнаружительная способность ФЭПП D. Spezifische Е. Specific detectivity F. | Величина, обратная удельному порогу чувствительности ФЭПП | ||||||||||
83. Радиационный порог чувствительности ФЭПП Е. Noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP) F. Puissance | Порог чувствительности ФЭПП, шумы которого обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры | ||||||||||
ПАРАМЕТРЫ СПЕКТРАЛЬНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ | |||||||||||
84. Длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП D. Е. Peak spectral response wavelength F. Longueur d'onde de la | Длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики чувствительности | ||||||||||
85. Коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП D. Kurzwellengrenze Е. Short wavelength limit | Наименьшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения | ||||||||||
86. Длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП D. Langwellengrenze Е. Long wavelength limit | Наибольшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения | ||||||||||
87. Область спектральной чувствительности ФЭПП D. Spektraler Empfindlichkeitsbereich Е. Spectral sensitivity range F. Part sensible spectral | Диапазон длин волн спектральной характеристики ФЭПП, в котором чувствительность ФЭПП составляет не менее 10% своего максимального значения | ||||||||||
ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ФЭПП | |||||||||||
88. Эффективная фоточувствительная площадь ФЭПП D. Е. Effective area of the responsive element F. Aire efficace de | Площадь фоточувствительного элемента эквивалентного по фотосигналу ФЭПП, чувствительность которого равномерно распределена по фоточувстительному элементу и равна номинальному значению локальной чувствительности данного ФЭПП. Примечание. Определяется соотношением где В качестве номинального значения локальной чувствительности | ||||||||||
89. Плоский угол зрения ФЭПП D. Gesichtsfeldwinkel Е. Angular field of view F. Angle d'ouverture | Угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня | ||||||||||
90. Эффективное поле зрения ФЭПП D. Effektiver Gesichtsfeldraumwinkel Е. Effective weighted solid angle F. Angle solide efficace | Телесный угол, определяемый соотношением где | ||||||||||
ПАРАМЕТРЫ ИНЕРЦИОННОСТИ ФЭПП | |||||||||||
91. Время нарастания ФЭПП Время нарастания D. Anstiegszeit der normierten Е. Rise time of the normalized transfer characteristic F. Temps de | Минимальный интервал времени между точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно | ||||||||||
92. Время спада ФЭПП Время спада D. Abfallzeit der normierter Е. Decay time of the normalized inverse transfer characteristic F. Temps de descente de | Минимальный интервал времени между точками обратной переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно | ||||||||||
93. Время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню Время установления D. Einstellzeit der normierten Е. Set-up time of the normalized transfer characteristic F. Temps | - | Минимальное время от начала воздействия импульса излучения, по истечении которого максимальное отклонение нормированной переходной характеристики | |||||||||
94. Предельная частота ФЭПП D. Grenzfrequenz Е. Cut-off frequency F. | Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении | ||||||||||
95. Емкость ФЭПП D. Е. Capacitance F. | - | ||||||||||
96. Последовательное сопротивление фотодиода D. Reihenwiderstand einer Photodiode Е. Series resistance F. | Активная составляющая электрического сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно емкости перехода фотодиода | ||||||||||
ПАРАМЕТРЫ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ФЭПП | |||||||||||
97. Число элементов ФЭПП D. Е. Element number F. Nombre des | - | - | |||||||||
98. Шаг элементов ФЭПП D. Rastermass Е. Pitch F. Ecartement | Расстояние между центрами двух соседних фоточувствительных элементов ФЭПП | ||||||||||
99. Межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП D. Е. Element spacing F. Espacement des | Расстояние между наименее удаленными друг от друга краями фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП | ||||||||||
100. Коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП D. Photoelektrischer Kopplungsfaktor Е. Photoelectric coupling coefficient F. Coefficient de couplage | Отношение напряжения сигнала с необлученного элемента в многоэлементном ФЭПП к напряжению фотосигнала с облученного элемента, определяемого на линейном участке энергетической характеристики | ||||||||||
101. Разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП D. Parameterstreuung Е. Figure ol merit straggling F. Dispersion de figure de | Отношение полуразности наибольшего и наименьшего значений параметра фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП к среднему значению этого параметра. Примечание. В буквенном обозначении вместо "X" следует указывать буквенное обозначение соответствующего параметра | ||||||||||
ПАРАМЕТРЫ ФОТОТРАНЗИСТОРОВ*** | |||||||||||
102. Напряжение на коллекторе фототранзистора D. Kollektorspannung Е. Collector voltage F. Tension du collecteur | Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора | ||||||||||
103. Напряжение на эмиттере фототранзистора D. Emitterspannung Е. Emitter voltage F. Tension | Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора | ||||||||||
104. Напряжение на базе фототранзистора D. Basisspannung Е. Base voltage F. Tension de base | Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора | ||||||||||
105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors Е. Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage | Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* | ||||||||||
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors Е. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage collecteur-base de phototransistor | Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* | ||||||||||
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors Е. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage | Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* | ||||||||||
108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors Е. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage | Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* | ||||||||||
109. Темновой ток коллектора фототранзистора D. Kollektordunkelstrom Е. Collector dark current F. Courant | - | ||||||||||
110. Темновой ток эмиттера фототранзистора D. Emitterdunkelstrom Е. Emitter dark current F. Courant | - | ||||||||||
111. Темновой ток базы фототранзистора D. Basisdunkelstrom Е. Base dark current F. Courant | - | ||||||||||
112. Темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора D. Kollektor-Emitter-Dunkel-strom eines Phototransistors Е. Collector-emitter dark current of a phototransistor F. Courant | Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* | ||||||||||
113. Темновой ток коллектор-база фототранзистора D. Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors E. Collector-base dark current of a phototransistor F. Courant | Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* | ||||||||||
114. Темновой ток эмиттер-база фототранзистора D. Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors E. Emitter-base dark current of a phototransistor F. Courant | Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* | ||||||||||
115. Темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора D. Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors E. Emitter-collector dark current of a phototransistor F. Courant | Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* | ||||||||||
116. Фототок коллектора фототранзистора D. Kollektorfotostrom eines Phototransistors E. Collector photocurrent of a phototransistor F. Photocourant du collecteur de phototransistor | - | ||||||||||
117. Фототок эмиттера фототранзистора D. Emitterphotostrom eines Phototransistors E. Emitter photocurrent of a phototransistor F. Photocourant d'emetteur de phototransistor | - | ||||||||||
118. Фототок базы фототранзистора D. Basisfotostrom eines Phototransistors E. Base photocurrent of a phototransistor F. Photocourant de base de phototransistor | - | ||||||||||
119. Общий ток коллектора фототранзистора D. Kollektorgesamtstrom eines Phototransistors E. Collector total current of a phototransistor F. Courant total du collecteur de phototransistor | - | ||||||||||
120. Общий ток эмиттера фототранзистора D. Emittergesamtstrom eines Phototransistors E. Emitter total current of a phototransistor F. Courant total | - | ||||||||||
121. Общий ток базы фототранзистора D. Basisgesamtstrom eines Phototransistors E. Base total current of a phototransistor F. Courant total de base de phototransistor | - | ||||||||||
122. Общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора D. Kollektor-Emitter-Gesamtstrom eines Phototransistors E. Collector-emitter total current of a phototransistor F. Courant total | Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением | ||||||||||
123. Общий ток коллектор-база фототранзистора D. Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors E. Collector-base total current of a phototransistor F. Courant total collecteur-base de phototransistor | Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением | ||||||||||
124. Токовая чувствительность фототранзистора D. Stromempfindlichkeit eines Phototransistors E. Current responsivity of the phototransistor F. | - | Отношение изменения электрического тока на выходе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току | |||||||||
125. Вольтовая чувствительность фототранзистора D. Spannungsempfindlichkeit eines Phototransistors E. Voltage responsivity of the phototransistor F. | - | Отношение изменения напряжения на входе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току | |||||||||
126. Коэффициент усиления по фототоку фототранзистора D. E. Photocurrent gain factor F. Gain de photocourant | - | Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме | |||||||||
ПАРАМЕТРЫ КООРДИНАТНЫХ ФОТОДИОДОВ | |||||||||||
127. Линейная зона координатной характеристики координатного фотодиода | - | Участок координатной характеристики координатного фотодиода, на котором нелинейность не превышает заданного значения | |||||||||
128. Дифференциальная крутизна координатной характеристики координатного фотодиода | - | Отношение малого приращения фотосигнала координатного фотодиода к малому изменению координаты светового пятна, отнесенного к единице потока излучения | |||||||||
129. Статическая крутизна координатной характеристики координатного фотодиода | - | Отношение полного приращения фотосигнала координатного фотодиода к изменению координаты светового пятна, отнесенное к единице потока излучения | |||||||||
130. Нулевая точка координатного фотодиода | Координата энергетического центра светового пятна на фоточувствительном элементе координатного фотодиода, при которой фотосигнал равен нулю | ||||||||||
131. Выходное сопротивление координатного фотодиода | Отношение напряжения фотосигнала холостого хода координатного фотодиода к фототоку короткого замыкания при малом потоке излучения | ||||||||||
ПАРАМЕТРЫ ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ | |||||||||||
132. Коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода D. Е. Dark current multiplication factor of the avalanche photodiode
| Отношение темнового тока лавинного фотодиода к его первичному темновому току - к темновому току, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, отсутствии засветки и прочих равных условиях | ||||||||||
133. Коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода D. Photostromvervielfachungsfaktor Е. Photocurrent multiplication factor F. Facteur de multiplication de photocourant | Отношение фототока лавинного фотодиода к его первичному фототоку, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, интенсивности засветки и прочих равных условиях. Примечание. Если фототок измеряют при засветке всего чувствительного элемента, то получают интегральный коэффициент умножения, а при точечной засветке - локальный коэффициент умножения | ||||||||||
134. Точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода D. Konstanthaltungsgenauigkeit der Betriebsspannung Е. Operating voltage constant keeping accuracy | Относительное изменение рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока изменяется в заданных пределах | ||||||||||
135. Температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода D. Temperaturkoeffizient der Betribsspannung Е. Operating voltage temperature coefficient F. Coefficient de temprature de tension de | Отношение изменения рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока достигает исходного значения, к изменению температуры и рабочему напряжению при исходной температуре. Примечание. При малых изменениях температуры получают динамический температурный коэффициент рабочего напряжения; если диапазон изменения температур большой - статический температурный коэффициент рабочего напряжения | ||||||||||
ПАРАМЕТРЫ ИНЖЕКЦИОННЫХ ФОТОДИОДОВ | |||||||||||
136. Коэффициент усиления инжекционного фотодиода D. E. Injection photodiode gain F. Gain de photodiode | - | Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фотодиода в фотогальваническом режиме | |||||||||
137. Коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода D. Relativer E. Relative gain F. Gain relatif | - | Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фоторезистора из того же материала, с теми же размерами и расположением контактов при одинаковых условиях - напряжении, температуре, фоне. Примечание. Для инжекционных фотодиодов с линейным участком вольт-амперной характеристики определяется также отношением токовых чувствительностей при рабочем напряжении на линейном участке, деленном на отношение этих напряжений | |||||||||
ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ ПАРАМЕТРЫ ФЭПП | |||||||||||
138. Рассеиваемая мощность ФЭПП D. Gesamtverlustleistung E. Total power dissipation F. Dissipation totale de puissance | Суммарная мощность, рассеиваемая ФЭПП и определяемая мощностью электрического сигнала и мощностью воздействующего на него излучения | ||||||||||
139. Максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП D. Maximal E. Maximum admissible power dissipation F. Puissance | Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе | ||||||||||
140. Критическая мощность излучения для ФЭПП | - | Максимальная мощность импульсного или постоянного излучения, при которой отклонение энергетической характеристики ФЭПП от линейного закона достигает заданного уровня | |||||||||
141. Динамический диапазон ФЭПП D. Dynamischer Bereich E. Dynamic range F. Gamme dynamique | - | Отношение критической мощности излучения для ФЭПП к порогу чувствительности ФЭПП в заданной полосе частот. Примечание. Для ФЭПП, нелинейных в области пороговых засветок, вместо порога чувствительности выбирают минимальный уровень мощности излучения, при которой отклонение энергетической характеристики от линейного закона достигает заданного уровня | |||||||||
142. Неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу D. E. Spacing response non-uniformity F. | - | Разность наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП | |||||||||
143. Нестабильность сопротивления ФЭПП D. E. Resistance unstability coefficient F. Coefficient de | - | Отношение максимального отклонения сопротивления ФЭПП от его среднего значения при постоянной температуре и напряжении питания в течение заданного интервала времени к среднему значению | |||||||||
144. Нестабильность темнового тока ФЭПП D. E. Dark current unstability coefficient F. Coefficient de | - | Отношение максимального отклонения темнового тока ФЭПП от его среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных температуре и напряжении питания приемника к среднему значению: | |||||||||
145. Нестабильность чувствительности ФЭПП D. E. Response unstability coefficient F. Coefficient de | - | Отношение максимального отклонения напряжения фотосигнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных значениях потока излучения, температуры и постоянном напряжении питания ФЭПП к среднему значению | |||||||||
146. Температурный коэффициент фототока ФЭПП D. Temperaturkoeffizient des Photostromes E. Photocurrent-temperature coefficient F. Coefficient de | - | Отношение процентного изменения фототока ФЭПП к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды при заданной освещенности (облученности) | |||||||||
147. Световая нестабильность ФЭПП D. E. Light unstability F. | - | Изменение светового сопротивления ФЭПП, происшедшее вследствие изменения условий освещенности при его хранении | |||||||||
148. Температура выхода на режим оптической генерации | - | ||||||||||
149. Время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП E. Cooldown time | Интервал времени с момента включения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП достигают заданного уровня | ||||||||||
150. Время автономной работы охлаждаемого ФЭПП D. E. Independent operating time F. | Интервал времени с момента отключения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП изменяются до заданного допустимого уровня | ||||||||||
СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП | |||||||||||
151. Спектральная характеристика чувствительности ФЭПП D. Spektrale Empfindlichkeit E. Spectral sensitivity F. | Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП от длины волны регистрируемого потока излучения | ||||||||||
152. Абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП D. Absolute spektrale Empfindlichkeitskennlinie E. Absolute spectral-response characteristic F. | Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, измеренной в абсолютных единицах, от длины волны регистрируемого потока излучения | ||||||||||
153. Относительная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП D. Relative spektrale Empfindlichkeitskennlinie | Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, отнесенной к значению максимальной монохроматической чувствительности, от длины волны регистрируемого потока излучения | ||||||||||
ВОЛЬТОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП | |||||||||||
154. Вольт-амперная характеристика ФЭПП D. Strom-Spannungs-Kennlinie E. Current-voltage characteristic F. | Зависимость электрического тока от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения | ||||||||||
155. Входная вольт-амперная характеристика фототранзистора D. Eingangs-Strom-Spannungs-Kennlinie E. Input current-voltage characteristic F. | Зависимость электрического тока от напряжения на входе фототранзистора при постоянном напряжении на выходе и фиксированном потоке излучения | ||||||||||
156. Выходная вольт-амперная характеристика фототранзистора D. Ausgangs-Strom-Spannungs-Kennlinie E. Output current-voltage characteristic F. | Зависимость электрического тока от напряжения на выходе фототранзистора при постоянном токе на входе и фиксированном потоке излучения | ||||||||||
157. Вольтовая характеристика чувствительности ФЭПП D. E. Bias voltage response characteristic | Зависимость чувствительности от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения | ||||||||||
158. Вольтовая характеристика тока шума ФЭПП D. E. Bias noise current characteristic | Зависимость среднего квадратичного значения тока шума от напряжения, приложенного к ФЭПП | ||||||||||
159. Вольтовая характеристика напряжения шума ФЭПП D. E. Bias noise voltage characteristic | Зависимость среднего квадратичного значения напряжения шума от напряжения, приложенного к ФЭПП | ||||||||||
160. Вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП D. E. Bias detectivity characteristic | Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от напряжения, приложенного к нему | ||||||||||
161. Вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода D. E. Bias multiplication factor characteristic of the avalanche photodiode | Зависимость коэффициента умножения лавинного фотодиода от напряжения, приложенного к нему | ||||||||||
ХАРАКТЕРИСТИКИ ЗАВИСИМОСТИ ПАРАМЕТРОВ ФЭПП ОТ ПОТОКА ИЗЛУЧЕНИЯ | |||||||||||
162. Энергетическая характеристика фототока ФЭПП D. E. Photocurrent-radiant flux characteristic | Зависимость фототока ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП | ||||||||||
163. Энергетическая характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП D. E. Photoelectric signal voltage-radiant flux characteristic | Зависимость параметра фототока, сопротивления, напряжения либо тока фотосигнала ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП | ||||||||||
164. Энергетическая характеристика статического сопротивления фоторезистора D. E. Radiant power-static resistance characteristic | Зависимость статического сопротивления фоторезистора от потока или плотности потока излучения, падающего на фоторезистор | ||||||||||
165. Люксомическая характеристика фоторезистора D. E. Resistance-Illuminance characteristic | Зависимость светового сопротивления фоторезистора от освещенности или светового потока, падающего на фоторезистор | ||||||||||
166. Люкс-амперная характеристика ФЭПП D. E. Photocurrent-Illuminance characteristic | Зависимость фототока ФЭПП от освещенности или светового потока, падающего на ФЭПП | ||||||||||
167. Входная энергетическая характеристика фототранзистора | - | Зависимость напряжения (тока) на входе фоторезистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе | |||||||||
168. Выходная энергетическая характеристика фототранзистора | - | Зависимость электрического тока на выходе фототранзистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе | |||||||||
ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП | |||||||||||
169. Частотная характеристика чувствительности ФЭПП D. Frequenzgang der Empfindlichkeit E. Frequency response characteristic F. | Зависимость чувствительности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения | ||||||||||
170. Спектр тока шума ФЭПП D. Rauschstromspektrum Е. Noise current spectrum F. Spectre du courant de bruit | Распределение плотности среднего квадратичного значения тока шума ФЭПП по частотам | ||||||||||
171. Спектр напряжения шума ФЭПП D. Rauschspannungsspektrum Е. Noise voltage spectrum F. Spectre de la tension de bruit | Распределение плотности среднего квадратичного значения напряжения шума ФЭПП по частотам | ||||||||||
172. Частотная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП Е. Specific detectivity frequency dependence | Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения | ||||||||||
ФОНОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП | |||||||||||
173. Фоновая характеристика светового сопротивления ФЭПП D. Е. Resistance under illumination-background radiant flux characteristic | Зависимость сопротивления ФЭПП от немодулированного потока излучения фона | ||||||||||
174. Фоновая характеристика чувствительности ФЭПП D. Е. Responsivity-background radiant flux characteristic | Зависимость чувствительности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона | ||||||||||
175. Фоновая характеристика тока шума ФЭПП D. Е. Noise current-background radiant flux characteristic | Зависимость тока шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона | ||||||||||
176. Фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП D. Е. Noise voltage-background radiant flux characteristic | Зависимость напряжения шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона | ||||||||||
177. Фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот D. Е. NEP-background radiant flux characteristic | - | Зависимость порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот от потока излучения фона | |||||||||
178. Фоновая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП D. Е. Specific detectivity-background radiant flux characteristic | Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона | ||||||||||
ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП | |||||||||||
179. Температурная характеристика светового сопротивления ФЭПП D. Temperaturverlauf des Hellwiderstands Е. Resistance under illumination-temperature characteristic | - | ||||||||||
180. Температурная характеристика темнового сопротивления ФЭПП D. Temperaturverlauf des Dunkelwider-stands Е. Dark resistance-temperature characteristic | - | - | |||||||||
181. Температурная характеристика темнового тока ФЭПП D. Temperaturverlauf des Dunkelstroms Е. Dark current-temperature characteristic | - | ||||||||||
182. Температурная характеристика чувствительности ФЭПП D. Temperaturverlauf der Empfindlichkeit Е. Responsivity-temperature characteristic | - | ||||||||||
183. Температурная характеристика тока шума ФЭПП D. Temperaturverlauf des Rauschstroms Е. Noise current-temperature characteristic | - | ||||||||||
184. Температурная характеристика напряжения шума ФЭПП D. Temperaturverlauf der Rauschspannung Е. Noise voltage-temperature characteristic | - | ||||||||||
185. Температурная характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот D. Temperaturverlauf der Е. NEP-temperature characteristic | - | - | |||||||||
186. Температурная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП D. Temperaturverlauf der spezifischen Е. Specific detectivity-temperature characteristic | - | ||||||||||
187. Температурная характеристика дрейфа нулевой точки координатного фотодиода D. Temperaturverlauf der Nullpunktdrift Е. Zero drift-temperature characteristic | Зависимость смещения нулевой точки координатного фотодиода от его температуры | ||||||||||
ВРЕМЕННЫЕ И ПРОСТРАНСТВЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП | |||||||||||
188. Переходная нормированная характеристика ФЭПП D. Normierte Е. Normalized transfer charakteristic F. | - | Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к установившемуся значению фототока при воздействии импульса излучения в форме единичной ступени. Примечание. Импульс излучения в форме единичной степени описывается выражением В общем случае переходная нормированная характеристика может иметь вид: | |||||||||
189. Обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП D. Normierte Е. Normalized inverse transfer characteristic F. | - | Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к начальному значению фототока при резком прекращении воздействия излучения. Примечание. Поток излучения при резком прекращении воздействия описывается выражением | |||||||||
190. Координатная характеристика координатного фотодиода | - | Зависимость выходного напряжения или тока фотосигнала от координаты светового пятна на фоточувствительном элементе координатного фотодиода | |||||||||
191. Временной дрейф нулевой точки координатного фотодиода Дрейф нуля D. Nullpunktdrift Е. Zero drift | Смещение нулевой точки координатного фотодиода при постоянной температуре в течение заданного интервала времени | ||||||||||
192. Распределение чувствительности по элементу ФЭПП D. Е. Responsivity surface distribution F. Distribution superficielle de la | Зависимость чувствительности ФЭПП от положения светового зонда на светочувствительном элементе | ||||||||||
193. Угловая характеристика чувствительности ФЭПП D. Empfindlichkeitswinkelverteilung Е. Responsivity directional distribution F. Distribution directionnelle de la | Зависимость чувствительности ФЭПП от угла между направлением падающего излучения и нормалью плоскости фоточувствительного элемента | ||||||||||
________________
* На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
** Термины 64-74 могут употребляться в различных комбинациях. Например, вольтовая интегральная чувствительность
Буквенные обозначения при этом формируются из буквенных обозначений терминов, участвующих в комбинации.
В случаях, когда в тексте указана размерность чувствительности, допускается опускать определяющие и дополняющие слова в комбинируемых терминах.
*** Верхний индекс "
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Время автономной работы охлаждаемого ФЭПП | 150 |
Время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП | 149 |
Время нарастания | 91 |
Время нарастания ФЭПП | 91 |
Время спада | 92 |
Время спада ФЭПП | 92 |
Время установления | 93 |
Время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню | 93 |
Вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 41 |
Вывод ФЭПП | 41 |
Выход фотоприемного устройства | 48 |
Диапазон ФЭПП динамический | 141 |
Диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения апертурная | 47 |
Диафрагма ФЭПП апертурная | 47 |
Длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП | 84 |
Граница спектральной чувствительности ФЭПП длинноволновая | 86 |
Граница спектральной чувствительности ФЭПП коротковолновая | 85 |
Дрейф нулевой точки координатного фотодиода временной | 191 |
Дрейф нуля | 191 |
Емкость ФЭПП | 95 |
Зазор многоэлемеитного ФЭПП межэлементный | 99 |
Зона координатной характеристики координатного фотодиода линейная | 127 |
Контакт фоточувствительного элемента | 42 |
Контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 42 |
Корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 43 |
Корпус ФЭПП | 43 |
Коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода | 137 |
Коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода температурный | 135 |
Коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода | 132 |
Коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода | 133 |
Коэффициент усиления инжекционного фотодиода | 136 |
Коэффициент усиления по фототоку фототранзистора | 126 |
Коэффициент фототока ФЭПП температурный | 146 |
Коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП | 100 |
Крутизна координатной характеристики координатного фотодиода дифференциальная | 128 |
Крутизна координатной характеристики координатного фотодиода статическая | 129 |
Мощность излучения для ФЭПП критическая | 140 |
Мощность ФЭПП рассеиваемая | 138 |
Мощность ФЭПП рассеиваемая максимально допустимая | 139 |
Наклон люксомической характеристики фоторезистора | 75 |
Напряжение коллектор-база фототранзистора пробивное | 106 |
Напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора пробивное | 105 |
Напряжение на базе фототранзистора | 104 |
Напряжение на коллекторе фототранзистора | 102 |
Напряжение на эмиттере фототранзистора | 103 |
Напряжение фотодиода пробивное | 50 |
Напряжение фотосигнала ФЭПП | 61 |
Напряжение ФЭПП максимально допустимое | 51 |
Напряжение ФЭПП рабочее | 49 |
Напряжение шума ФЭПП | 87 |
Напряжение эмиттер-база фототранзистора пробивное | 107 |
Напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора пробивное | 108 |
Неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу | 142 |
Нестабильность сопротивления ФЭПП | 143 |
Нестабильность темнового тока ФЭПП | 144 |
Нестабильность ФЭПП световая | 147 |
Нестабильность чувствительности ФЭПП | 145 |
Область спектральной чувствительности ФЭПП | 87 |
Окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения входное | 46 |
Окно ФЭПП входное | 46 |
Площадь ФЭПП фоточувствительная эффективная | 88 |
Подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 45 |
Подложка ФЭПП | 45 |
Поле зрения ФЭПП эффективное | 90 |
Порог | 78 |
Порог в единичной полосе частот | 79 |
Порог удельный | 80 |
Порог чувствительности ФЭПП | 78 |
Порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот | 79 |
Порог чувствительности ФЭПП радиационный | 83 |
Порог чувствительности ФЭПП удельный | 80 |
Прибор полупроводниковый фоточувствительный | 1 |
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический | 2 |
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический гетеродинный | 8 |
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический иммерсионный | 9 |
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический координатный | 7 |
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоспектральный | 4 |
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоэлементный | 6 |
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический одноэлементный | 5 |
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический охлаждаемый | 20 |
Прочность изоляции ФЭПП электрическая | 52 |
12 | |
Разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП | 101 |
Распределение чувствительности по элементу ФЭПП | 192 |
Режим короткого замыкания фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 36 |
Режим короткого замыкания ФЭПП | 36 |
Режим ОГ | 30 |
Режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 29 |
Режим оптического гетеродинного приема фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 39 |
Режим оптического гетеродинного приема ФЭПП | 39 |
Режим оптической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 30 |
Режим ОФ | 29 |
Режим работы фотодиода лавинный | 33 |
Режим работы фототранзистора с плавающей базой | 35 |
Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с согласованной нагрузкой | 38 |
Режим работы ФЭПП с согласованной нагрузкой | 38 |
Режим ТГ | 31 |
Режим термической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 31 |
Режим фотогальванический | 34 |
Режим фотодиодный | 32 |
Режим холостого хода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 37 |
Режим холостого хода ФЭПП | 37 |
Сканистор полупроводниковый фотоэлектрический фоточувствительный | 25 |
Сопротивление координатного фотодиода выходное | 131 |
Сопротивление фотодиода последовательное | 96 |
Сопротивление фотодиода при нулевом смещении | 56 |
Сопротивление ФЭПП световое | 57 |
Сопротивление ФЭПП статическое | 54 |
Сопротивление ФЭПП темновое | 55 |
Сопротивление ФЭПП электрическое дифференциальное | 53 |
Спектр напряжения шума ФЭПП | 171 |
Спектр тока шума ФЭПП | 170 |
Способность ФЭПП обнаружительная | 81 |
Способность ФЭПП обнаружительная удельная | 82 |
Температура выхода на режим оптической генерации | 148 |
Ток базы фототранзистора общий | 121 |
Ток базы фототранзистора темновой | 111 |
Ток коллектора фототранзистора общий | 119 |
Ток коллектора фототранзистора темновой | 109 |
Ток коллектор-база фототранзистора общий | 123 |
Ток коллектор-база фототранзистора темновой | 113 |
Ток коллектор-эмиттер фототранзистора общий | 122 |
Ток коллектор-эмиттер фототранзистора темновой | 112 |
Ток фотосигнала ФЭПП | 62 |
Ток ФЭПП общий | 60 |
Ток ФЭПП темновой | 58 |
Ток шума ФЭПП | 76 |
Ток эмиттер-база фототранзистора темновой | 114 |
Ток эмиттер-коллектор фототранзистора темновой | 115 |
Ток эмиттера фототранзистора общий | 120 |
Ток эмиттера фототранзистора темновой | 110 |
Точка координатного фотодиода нулевая | 130 |
Точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода | 134 |
Угол зрения ФЭПП плоский | 89 |
Устройство с внутренней коммутацией фотоприемное многоэлементное | 23 |
Устройство с разделенными каналами фотоприемное многоэлементное | 22 |
Устройство фотоприемное | 3 |
Устройство фотоприемное гибридное | 28 |
Устройство фотоприемное многоспектральное | 24 |
Устройство фотоприемное монолитное | 27 |
Устройство фотоприемное одноэлементное | 21 |
Устройство фотоприемное охлаждаемое | 26 |
Фотодиод | 11 |
Фотодиод инжекционный | 16 |
Фотодиод лавинный | 15 |
Фотодиод с барьером Шоттки | 13 |
Фотодиод с гетеропереходом | 14 |
Фоторезистор | 10 |
Фототок базы фототранзистора | 118 |
Фототок коллектора фототранзистора | 116 |
Фототок ФЭПП | 59 |
Фототок эмиттера фототранзистора | 117 |
Фототранзистор | 17 |
Фототранзистор биполярный | 19 |
Фототранзистор полевой | 18 |
ФПУ | 3 |
ФПУ гибридное | 28 |
ФПУ многоспектральное | 24 |
ФПУ монолитное | 27 |
ФПУ одноэлементное | 21 |
ФПУ охлаждаемое | 26 |
ФПУ с внутренней коммутацией многоэлементное | 23 |
ФПУ с разделенными каналами многоэлементное | 22 |
ФЭПП | 2 |
ФЭПП гетеродинный | 8 |
ФЭПП иммерсионный | 9 |
ФЭПП координатный | 7 |
ФЭПП многоспектральный | 4 |
ФЭПП многоэлементный | 6 |
ФЭПП одноэлементный | 5 |
ФЭПП охлаждаемый | 20 |
Характеристика дрейфа нулевой точки координатного фотодиода температурная | 187 |
Характеристика координатного фотодиода координатная | 190 |
Характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода вольтовая | 161 |
Характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП энергетическая | 163 |
Характеристика напряжения шума ФЭПП вольтовая | 159 |
Характеристика напряжения шума ФЭПП температурная | 184 |
Характеристика напряжения шума ФЭПП фоновая | 176 |
Характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот температурная | 185 |
Характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот фоновая | 177 |
Характеристика светового сопротивления ФЭПП температурная | 179 |
Характеристика светового сопротивления ФЭПП фоновая | 173 |
Характеристика статического сопротивления фоторезистора энергетическая | 164 |
Характеристика темнового сопротивления ФЭПП температурная | 180 |
Характеристика темнового тока ФЭПП температурная | 181 |
Характеристика тока шума ФЭПП вольтовая | 158 |
Характеристика тока шума ФЭПП температурная | 183 |
Характеристика тока шума ФЭПП фоновая | 175 |
Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП вольтовая | 160 |
Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП температурная | 186 |
Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП фоновая | 178 |
Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП частотная | 172 |
Характеристика фоторезистора люксомическая | 165 |
Характеристика фототока ФЭПП энергетическая | 162 |
Характеристика фототранзистора вольт-амперная входная | 155 |
Характеристика фототранзистора вольт-амперная выходная | 156 |
Характеристика фототранзистора энергетическая входная | 167 |
Характеристика фототранзистора энергетическая выходная | 168 |
Характеристика ФЭПП вольт-амперная | 154 |
Характеристика ФЭПП люксамперная | 166 |
Характеристика ФЭПП нормированная переходная | 188 |
Характеристика ФЭПП нормированная переходная обратная | 189 |
Характеристика чувствительности ФЭПП вольтовая | 157 |
Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная | 151 |
Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная абсолютная | 152 |
Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная относительная | 153 |
Характеристика чувствительности ФЭПП температурная | 182 |
Характеристика чувствительности ФЭПП угловая | 193 |
Характеристика чувствительности ФЭПП фоновая | 174 |
Характеристика чувствительности ФЭПП частотная | 169 |
Частота ФЭПП предельная | 94 |
Число элементов ФЭПП | 97 |
Чувствительность фототранзистора вольтовая | 125 |
Чувствительность фототранзистора токовая | 124 |
Чувствительность ФЭПП | 63 |
Чувствительность ФЭПП вольтовая | 69 |
Чувствительность ФЭПП дифференциальная | 73 |
Чувствительность ФЭПП импульсная | 74 |
Чувствительность ФЭПП интегральная | 70 |
Чувствительность ФЭПП к облученности | 66 |
Чувствительность ФЭПП к освещенности | 67 |
Чувствительность ФЭПП к потоку излучения | 64 |
Чувствительность ФЭПП к световому потоку | 65 |
Чувствительность ФЭПП монохроматическая | 71 |
Чувствительность ФЭПП статическая | 72 |
Чувствительность ФЭПП токовая | 68 |
Шаг элементов ФЭПП | 98 |
Элемент фоточувствительный | 40 |
Элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения иммерсионный | 44 |
Элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения фоточувствительный | 40 |
Элемент ФЭПП иммерсионный | 44 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ
Abfallzeit der normierter | 92 |
174 | |
177 | |
163 | |
176 | |
178 | |
173 | |
165 | |
162 | |
166 | |
175 | |
Absolute spektrale Empfindlichkeitskennlinie | 152 |
Ansprechempfindlichkeit | 63 |
Anstiegszeit der normierten | 91 |
Aperturblende des | 47 |
78 | |
79 | |
Ausgangs-Strom-Spannungs-Kennlinie | 156 |
Basisdunkelstrom | 111 |
Basisfotostrom eines Phototransistors | 118 |
Basisgesamtstrom eines Phototransistors | 121 |
Basisspannung | 104 |
67 | |
66 | |
Betriebsspannung | 49 |
157 | |
160 | |
159 | |
158 | |
161 | |
Bipolarphototransistor | 19 |
Differentielle Empfindlichkeit | 73 |
Differentieller elektrischer Widerstand | 53 |
Dunkelstrom | 58 |
132 | |
Dunkelwiderstand | 55 |
Durchbruchspannung einer Photodiode | 50 |
Durch Hintergrundquantenfluktuation begrenzter Zustand des | 29 |
Dynamischer Bereich | 141 |
Effektiver Gesichtsfeldraumwinkel | 90 |
88 | |
5 | |
Eingangs-Strom-Spannungs-Kennlinie | 155 |
Einstellzeit der normierten | 93 |
Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors | 114 |
Emitter-Basis- Durchbruchspannung eines Phototransistors | 107 |
Emitterdunkelstrom | 110 |
Emittergesamtstrom eines Phototransistors | 120 |
Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors | 115 |
Emitter-Kollektor-Durchbruchspannung eines Phototransistors | 108 |
Emitterphotostrom eines Phototransistors | 117 |
Emitterspannung | 103 |
192 | |
Empfindlichkeitswinkelverteilung | 193 |
142 | |
Frequenzgang der Empfindlichkeit | 169 |
Fuhlelementenabstand | 99 |
97 | |
20 | |
Gesamtempfindlichkeit | 70 |
Gesamtstrom | 60 |
Gesamtverlustleistung | 138 |
Gesichtsfeldwinkel | 89 |
Grenzfrequenz | 94 |
Halbleiterphotoelement | 2 |
Hellwiderstand | 57 |
9 | |
Impulsempfindlichkeit | 74 |
Injektionsphotodiode | 16 |
145 | |
144 | |
143 | |
Isolationsfestigkeit | 52 |
95 | |
Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors | 113 |
Kollektor-Basis-Durchbruchspannung eines Phototransistors | 106 |
Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors | 123 |
Kollektordunkelstrom | 109 |
Kollektor-Emitter-Dunkelstrom eines Phototransistors | 112 |
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung eines Phototransistors | 105 |
Kollektor-Emitter-Gesamtstrom eines Phototransistors | 122 |
Kollektorfotostrom eines Phototransistors | 116 |
Kollektorgesamtstrom eines Phototransistors | 119 |
Kollektorspannung | 102 |
Konstanthaltungsgenauigkeit der Betriebsspannung | 134 |
Kurzschlussbetrieb des | 36 |
Kurzwellengrenze | 85 |
Langwellengrenze | 86 |
Lawinenphotodiode | 15 |
Leerlaufbetrieb des | 37 |
Lichtempfindliches Element eines | 40 |
147 | |
Lichtstromempfindlichkeit | 65 |
Maximal | 51 |
Maximal | 139 |
Monochromatische Empfindlichkeit | 71 |
4 | |
81 | |
Normierte | 188 |
Normierte | 189 |
Nullpunktdrift | 191 |
Nullpunktwiderstand einer Photodiode | 56 |
Nullvorspannungsbetriebsweise der Halbleiterphotovoltzelle | 34 |
Ortsempfindlicher Photoempfanger | 7 |
Parameterstreuung | 101 |
Photodiode | 11 |
Photodiode mit | 14 |
Photoelektrischer Kopplungsfaktor | 100 |
41 | |
38 | |
39 | |
46 | |
43 | |
44 | |
Phtoempfindliches Halbleiterbauelement | 1 |
Photofeldeffekttransisfor | 18 |
Photosignalstrom | 62 |
Photostrom | 59 |
126 | |
Photostromvervielfachungsfaktor | 133 |
Phototransistor | 17 |
Phototransistorbetriebsweise mit offener Basis | 35 |
Photowiderstand | 10 |
Pin-Photodiode | 12 |
Rastermass | 98 |
Rauschspannung | 77 |
Rauschspannungsspektrum | 171 |
Rauschstrom | 76 |
Rauschstromspektrum | 170 |
Reihenwiderstand einer Photodiode | 96 |
Relativer | 137 |
Relative spectral Empfindlichkeitskennlinie | 153 |
Schichttrager des | 45 |
Schottky-Photodiode | 13 |
Spannungsempfindlichkeit eines Phototransistors | 125 |
Spektrale Empfindlichkeit | 151 |
Spektraler Empfidlichkeitsbereich | 87 |
Sperrvorspannungsbetriebsweise der Halbleiterphotovoltzelle | 32 |
Spezifische | 80 |
Spezifische | 82 |
Statische Empfindlichkeit | 72 |
Statischer Widerstand | 54 |
Steilheit der Lux-Ohm-Kennlinie | 75 |
164 | |
64 | |
Stromempfindlichkeit | 68 |
Stromempfindlichkeit eines Phototransistors | 124 |
Strom-Spannung-Kennlinie | 154 |
Temperaturkoeffizient der Betriebsspannung | 135 |
Temperaturkoeffizient des Photostromes | 146 |
Temperaturverlauf der aquivalenten Rauschleistung im Einheitsfrequenzband | 185 |
Temperaturverlauf der Empfindlichkeit | 182 |
Temperaturverlauf der Nullpunktdrift | 187 |
Temperaturverlauf der Rauschspannung | 184 |
Temperaturverlauf der spezifischen | 186 |
Temperaturverlauf des Dunkelstroms | 181 |
Temperaturverlauf des Dunkelwiderstands | 180 |
Temperaturverlauf des Hellwiderstands | 179 |
Temperaturverlauf des Rauschstroms | 183 |
33 | |
8 | |
150 | |
136 | |
6 | |
84 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Absolute spectral-response characteristic | 152 |
Angular field of view | 89 |
Avalanche mode of photodiode operation | 33 |
Avalanche photodiode | 15 |
Back-biased mode of photovoltaic detector operation | 32 |
Background limited | 29 |
Base dark current | 111 |
Base photocurrent of a phototransistor | 118 |
Base total current of a phototransistor | 121 |
Base voltage | 104 |
Bias detectivity characteristic | 160 |
Bias multiplication factor characteristic of the avalanche photodiode | 161 |
Bias noise current characteristic | 158 |
Bias noise voltage characteristic | 159 |
Bias voltage response characteristic | 157 |
Bipolar phototransistor | 19 |
BLIP | 33 |
Breakdown voltage of a photodiode | 50 |
Capacitance | 95 |
Collector-base breakdown voltage of a phototransistor | 106 |
Collector-base dark current of a phototransistor | 113 |
Collector-base total current of a phototransistor | 123 |
Collector dark current | 109 |
Collector-emitter breakdown voltage of a phototransistor | 105 |
Collector-emitter dark current of a phototransistor | 112 |
Collector-emitter total current of a phototransistor | 122 |
Collector photocurrent of a phototransistor | 116 |
Collector total current of a phototransistor | 119 |
Collector voltage | 102 |
Cooldown time | 149 |
Cooled detector | 20 |
Current responsivity | 68 |
Current responsivity of the phototransistor | 124 |
Current-voltage characteristic | 154 |
Cut-off frequency | 94 |
Dapk current | 58 |
Dark current multiplication factor of the avalanche photodiode | 132 |
Dark current-temperature characteristic | 181 |
Dark current unstability coefficient | 144 |
Dark resistance | 55 |
Dark resistance-temperature characteristic | 180 |
Decay time of the normalized inverse transfer characteristic | 92 |
Detectivity | 81 |
Detector aperture stop | 47 |
Detector-film base | 45 |
Detector optical immersion element | 44 |
Detector sensitive element | 40 |
Detector terminal | 41 |
Detector window | 46 |
Differential electrical resistance | 53 |
Differential responsivity | 73 |
Dynamic range | 141 |
Effective area of the responsive element | 88 |
Effective weighted solid angle | 90 |
Element number | 97 |
Element spacing | 99 |
Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor | 107 |
Emitter-base dark current of a phototransistor | 114 |
Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor | 108 |
Emitter-collector dark current of a phototransistor | 115 |
Emitter dark current | 110 |
Emitter photocurrent of a phototransistor | 117 |
Emitter total current of a phototransistor | 120 |
Emitter voltage | 103 |
Field effect phototransistor | 18 |
Figure of merit straggling | 101 |
Floating-base phototransistor operation | 35 |
Frequency response characteristic | 169 |
Heterodyne detector | 8 |
Heterodyne reception mode of detector operation | 39 |
Heterojunction photodiode | 14 |
Illuminance-resistance characteristique slope | 75 |
Illumination responsivity | 67 |
Immersed detector | 9 |
Independent operating time | 150 |
Injection photodiode | 16 |
Injection photodiode gain | 136 |
Input current-voltage characteristic | 155 |
Insulating strength | 52 |
Irradiance responsivity | 66 |
Light unstability | 147 |
Long wavelength limit | 86 |
Luminous flux responsivity | 65 |
Matched impedance mode of detector operation | 38 |
Maximum admissible power dissipation | 139 |
Maximum admissible voltage | 51 |
Monochromatic responsivity | 71 |
Multi-band photodetector | 4 |
Multi-element detector | 6 |
NEP-background radiant flux characteristic | 177 |
NEP-temperature characteristic | 185 |
Noise current | 76 |
Noise current-background radiant flux characteristic | 175 |
Noise current spectrum | 170 |
Noise current-temperature characteristic | 183 |
Noise equivalent power | 78 |
Noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP) | 83 |
Noise voltage | 77 |
Noise voltage-background radiant flux characteristic | 176 |
Noise voltage spectrum | 171 |
Noise voltage-temperature characteristic | 184 |
Normalized inverse transfer characteristic | 189 |
Normalized transfer characteristic | 188 |
Open-circuit mode of detector operation | 37 |
Operating voltage | 49 |
Operating voltage constant keeping accuracy | 134 |
Operating voltage temperature coefficient | 135 |
Output current-voltage characteristic | 156 |
Peak spectral response wavelength | 84 |
Photoconductive cell | 10 |
Photocurrent | 59 |
Photocurrent gain factor | 126 |
Photocurrent-illuminance characteristic | 166 |
Photocurrent multiplication factor | 133 |
Photocurrent-radiant flux characteristic | 162 |
Photocurrent-temperature coefficient | 146 |
Photodetector package | 43 |
Photodiode | 11 |
Photoelectric coupling coefficient | 100 |
Photoelectric semiconductor detector | 2 |
Photoelectric signal current | 62 |
Photoelectric signal voltage | 61 |
Photoelectric signal voltage-radiante flux characteristic | 163 |
Photosensitive semiconductor device | 1 |
Phototransistor | 17 |
Pin-photodiode | 12 |
Pitch | 98 |
Position-sensitive detector | 7 |
Pulse responsivity | 74 |
Radiant flux responsivity | 64 |
Radiant power-static resistance characteristic | 164 |
Relative gain | 137 |
Resistance-illuminance characteristic | 165 |
Resistance under illumination | 57 |
Resistance under illumination-background radiant flux characteristic | 173 |
Resistance under illumination-temperature characteristic | 179 |
Resistance unstability coefficient | 143 |
Response unstability coefficient | 145 |
Responsivity | 63 |
Responsivity-background radiant flux characteristic | 174 |
Responsivity directional distribution | 193 |
Responsivity surface distribution | 192 |
Responsivity-temperature characteristic | 182 |
Rise time of the normalized transfer characteristic | 91 |
Schottky-Barrier-Photodiode | 13 |
Short-circuit mode of detector operation | 36 |
Short-wavelength limit | 85 |
Series resistance | 96 |
Set-up time of the normalized transfer characteristic | 93 |
Single-element detector | 5 |
Spacing response non-uniformity | 142 |
Specific detectivity | 82 |
Specific detectivity-background radiant flux characteristic | 178 |
Specific detectivity frequency dependence | 172 |
Specific detectivity-temperature characteristic | 186 |
Specific noise equivalent power | 80 |
Spectral sensitivity | 151 |
Spectral sensitivity range | 87 |
Static resistance | 54 |
Static responsivity | 72 |
Total current | 60 |
Total power dissipation | 138 |
Total responsivity | 70 |
Unit frequency bandwidth noise equivalent power | 79 |
Voltage responsivity | 69 |
Voltage responsivity of the phototransistor | 125 |
Zero-bias mode of photovoltaic detector operation | 34 |
Zero-bias resistance of a photodiode | 56 |
Zero drift | 191 |
Zero drift-temperature characteristic | 187 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
Aire efficace de | 88 |
Angle d'ouverture | 89 |
Angle solide efficace | 90 |
43 | |
Branchement du | 41 |
95 | |
154 | |
155 | |
156 | |
169 | |
152 | |
189 | |
188 | |
Cellule photoinductive | 10 |
Coefficient de couplage | 100 |
Coefficient de | 145 |
Coefficient de | 143 |
Coefficient de | 144 |
Coefficient de | 135 |
Coefficient de | 146 |
Courant de bruit | 76 |
Courant de signal | 62 |
Courant | 58 |
Courant | 113 |
Courant | 112 |
Courant | 111 |
Courant | 110 |
Courant | 109 |
Courant | 114 |
Courant | 115 |
Courant total | 60 |
Courant total collecteur-base de phototransistor | 123 |
Courant total | 122 |
Courant total de base de phototransistor | 121 |
Courant total | 120 |
Courant total du collecteur de phototransistor | 119 |
5 | |
9 | |
2 | |
8 | |
6 | |
81 | |
82 | |
Diaphragme d'ouverture du | 47 |
Dispersion de figure de | 101 |
Dispositif semiconducteur photosensible | 1 |
Dissipation totale de puissance | 138 |
Distribution directionnelle de la | 193 |
Distribution superficielle de la | 192 |
150 | |
Ecartement | 98 |
44 | |
40 | |
Espacement des | 99 |
Facteur de multiplication de courant | 132 |
Facteur de multiplication de photocourant | 133 |
46 | |
Fonctionnement du | 37 |
Fonctionnement du | 36 |
94 | |
Gain de photocourant | 126 |
Gain de photodiode | 136 |
Gain relatif | 137 |
Gamme dynamique | 141 |
147 | |
Longueur d'onde de la | 84 |
Nombre de | 97 |
142 | |
Part sensible spectrale | 87 |
Pente de | 75 |
Photocourant | 59 |
Photocourant de base de phototransistor | 118 |
Photocourant | 117 |
Photocourant du collecteur de phototransistor | 116 |
4 | |
20 | |
Photodiode | 11 |
Photodiode | 15 |
Photodiode d'injection | 16 |
Phototransistor | 17 |
Phototransistor | 18 |
Phototransistor bipolaire | 19 |
Pin-photodiode | 12 |
Puissance | 139 |
Puissance | 78 |
Puissance | 79 |
Puissance | 83 |
Puissance | 80 |
39 | |
38 | |
34 | |
32 | |
35 | |
29 | |
63 | |
66 | |
67 | |
64 | |
65 | |
73 | |
74 | |
68 | |
124 | |
69 | |
125 | |
70 | |
71 | |
72 | |
53 | |
55 | |
56 | |
96 | |
57 | |
54 | |
52 | |
151 | |
Spectre de la tension de bruit | 171 |
Spectre du courant de bruit | 170 |
Temps de descente de | 92 |
Temps de | 91 |
Temps | 93 |
Tension de base | 104 |
Tension de bruit | 77 |
Tension de claquage collecteur-base de phototransistor | 106 |
Tension de claquage | 105 |
Tension de claquage de photodiode | 50 |
Tension de claquage | 107 |
Tension de claquage | 108 |
Tension | 103 |
Tension de | 49 |
Tension de service | 49 |
Tension de signal | 61 |
Tension du collecteur | 102 |
Tension maximale admissible | 51 |
(Измененная редакция, Изм. N 1).
ПРИЛОЖЕНИЕ 1
Справочное
ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В ОБЛАСТИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ
И ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ
Термин | Пояснение |
1. Электромагнитное излучение | Процесс испускания электромагнитных волн. Примечание. Под термином "электромагнитное излучение" следует понимать также и уже излученные электромагнитные волны. |
2. Оптическое излучение | Электромагнитное излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5·10 Примечание. В указанном диапазоне электромагнитные волны наиболее эффективно изучаются оптическими методами, для которых характерно формирование направленных потоков электромагнитных волн с помощью оптических систем |
3. Ультрафиолетовое излучение | Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5·10 |
4. Видимое излучение | Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 4·10 |
5. Инфракрасное излучение | Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 7,6·10 |
6. Равновесное излучение | Электромагнитное излучение, испускаемое физической системой, находящейся в термодинамическом равновесии |
7. Немодулированное излучение | Излучение, не изменяющееся во времени за период его измерения |
8. Модулированное излучение | Излучение, изменяющееся во времени с помощью модуляторов |
9. Фотоэлектрический эффект Фотоэффект | Процесс полного или частичного освобождения заряженных частиц в веществе в результате поглощения фотонов |
10. Внутренний фотоэлектрический эффект Внутренний эффект | Перераспределение электронов по энергетическим состояниям в твердых телах в результате поглощения фотонов |
11. Эффект проводимости | Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное внутренним фотоэлектрическим эффектом |
12. Фотогальванический эффект | Возникновение ЭДС в электронно-дырочном переходе либо тока при включении перехода в электрическую цепь, происходящее в результате разделения фотоносителей электрическим полем, обусловленным неоднородностью проводника. Примечание. Под термином "фотоносители" следует понимать носители электрического заряда, генерированные в полупроводнике под действием оптического излучения |
13. Фотопроводимость | Свойство вещества изменять свою электропроводность под действием оптического излучения |
14. Собственная фотопроводимость | Фотопроводимость полупроводника, обусловленная генерацией пар электрон проводимости - дырка проводимости, возникающей под действием оптического излучения |
15. Примесная фотопроводимость | Фотопроводимость полупроводника, обусловленная ионизацией атомов донорной и (или) акцепторной примесей, возникающей под действием оптического излучения |
16. Фотоэлектродвижущая сила Фото-ЭДС | Электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике на |
17. Фотосигнал | Реакция приемника на оптическое излучение |
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
О СООТВЕТСТВИИ ГОСТ 21934-83 И СТ СЭВ 2767-80
Пп.10, 11, 17 ГОСТ 21934-83 соответствуют пп.1.5.8, 1.5.10, 1.5.11 СТ СЭВ 2767-80.
Текст документа сверен по:
Электроника. Термины и определения. Часть 2:
Сб. стандартов. - , 2005
